.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-BT145-800R
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
P/N: YZPST-BT145-800R
DESCRIÇÃO:
Retificador controlado de silício (SCR) com passivação planar em encapsulamento plástico TO220, destinado a aplicações que exigem alta capacidade de bloqueio bidirecional, alta capacidade de corrente de surto e excelente desempenho em ciclos térmicos.
Características e benefícios
Controle de potência CA
Alta capacidade de bloqueio bidirecional de tensão
Alto desempenho em ciclos térmicos
Passivação planar para robustez e confiabilidade em tensão
Alta capacidade de operação na temperatura de junção (Tj(max) = 150 °C)
O encapsulamento atende ao requisito de inflamabilidade UL94V0
O encapsulamento está em conformidade com RoHS
transiente rápido IEC 61000-4-4
Aplicações
Ignição por descarga capacitiva (CDI)
Proteção crowbar
Proteção contra corrente de partida
Controle de motor
Regulação de tensão
Alta capacidade de operação na temperatura de junção (Tj(max) = 150 °C)
Resposta rápida a tensão de surto dados de referência
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | |
| Máximos absolutos classificação | |||||||
| VRRM | repetitivo pico reverso tensão | - | - | 800 | V | ||
| IT(RMS) | Corrente RMS em condução | meia onda senoidal; Tmb ≤ 128 °C; | - | - | 25 | A | |
| Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3 | |||||||
| ITSM | pico não repetitivo em corrente em condução | meia onda senoidal; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5 | - | - | 300 | A | |
| meia onda senoidal; Tj(init) = 25 °C; tp = 8.3 ms | - | - | 330 | A | |||
| Tj | temperatura de junção | - | - | 150 | °C | ||
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | |
| Características estáticas | |||||||
| IGT | corrente de disparo de gate | VD = 12 V; IT = 0,1 A; Tj = 25 °C; Fig. 7 | 1.5 | - | 15 | mA | |
| IA | corrente de manutenção | VD = 12 V; Tj = 25 °C; Fig. 9 | - | - | 60 | mA | |
| VT | tensão em condução | IT = 30 A; Tj = 25 °C; Fig. 10 | - | 1.1 | 1.5 | V | |
| Características dinâmicas | |||||||
| dVD/dt | taxa de subida do estado bloqueado tensão | VDM = 536 V; Tj = 150 °C; (VDM = 67% de VDRM); forma de onda exponencial; porta aberta circuito | 80 | - | - | V/μs | |
Valores limite
De acordo com o Sistema de Classificação de Máximo Absoluto (IEC 60134).
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Máx. | Unidade | |
| VDRM | repetitivo pico em estado bloob tensão | - | 800 | V | ||
| VRRM | repetitivo pico reverso tensão | - | 800 | V | ||
| IT(AV) | corrente média em estado conduzido | meia onda senoidal; Tmb ≤ 128°C; | - | 16 | A | |
| IT(RMS) | Corrente RMS em condução | meia onda senoidal; Tmb ≤ 128°C; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3 | - | 25 | A |
| ITSM | não repetitivo pico em estado conduzido corrente em condução | meia onda senoidal; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5 | - | 300 | A | |
| meia onda senoidal; Tj(init) = 25 °C; tp = 8.3 ms | - | 330 | A | |||
| I2t | I2t para fusão | tp = 10 ms; SIN | - | 450 | A2s | |
| d IT/dt | taxa de subida de estado conduzido corrente do coletor | IG = 20 mA | - | 200 | A/μs | |
| IGM | gate de pico corrente do coletor | - | 5 | A | ||
| VRGM | pico porta reversa | - | 5 | V | ||
| tensão | ||||||
| PGM | gate de pico potência | - | 20 | W | ||
| PG(AV) | gate médio potência | em qualquer 20 ms período | - | 0.5 | W | |
| Tstg | temperatura de armazenamento | -40 | 150 | °C | ||
| Tj | temperatura de junção | - | 150 | °C |
Características térmicas
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | |
| Rth(j-mb) | resistência térmica | Fig. 6 | - | - | 1 | K/W | |
| da junção a | |||||||
| montagem base | |||||||
| Rth(j-a) | resistência térmica | em ar livre | - | 60 | - | K/W | |
| da junção a | |||||||
| ar ambiente livre |
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Diga-nos o que precisa.
Os campos assinalados com um asterisco são obrigatórios.
Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
