YZPST-BT145-800R
DESCRIÇÃO:
Retificador Controlado de Silício passivado plano (SCR) em invólucro plástico TO220 destinado a aplicações que requerem alta capacidade de bloqueio bidirecional de tensão, alta capacidade de corrente de entrada e alto desempenho de ciclagem térmica.
Características e benefícios
Controle de potência AC
Alta capacidade de bloqueio bidirecional de tensão
Alto desempenho de ciclagem térmica
Passivado plano para robustez e confiabilidade de tensão
Alta capacidade de temperatura de operação do junção (Tj(max) = 150 °C)
Invólucro atende aos requisitos de inflamabilidade UL94V0
Invólucro está em conformidade com RoHS
IEC 61000-4-4 transiente rápido
Aplicações
Ignição por descarga capacitiva (CDI)
Proteção de barra de curto-circuito
Proteção de entrada
Controle de motor
Regulação de tensão
Alta capacidade de temperatura de operação do junção (Tj(max) = 150 °C)
P/N: YZPST-BT145-800R
DESCRIÇÃO:
Retificador Controlado de Silício passivado plano (SCR) em um invólucro plástico TO220 destinado a ser utilizado em aplicações que requerem alta capacidade de bloqueio bidirecional de tensão, alta capacidade de corrente de entrada e alto desempenho de ciclagem térmica.
Características e benefícios
Controle de energia AC
Alta capacidade de bloqueio bidirecional de tensão
Alto desempenho de ciclagem térmica
Passivado plano para resistência e confiabilidade de tensão
Alta capacidade de temperatura de operação do junção (Tj(max) = 150 °C)
O invólucro atende ao requisito de inflamabilidade UL94V0
O pacote está em conformidade com a RoHS
IEC 61000-4-4 transiente r
apid
Aplicações
Ignição por descarga capacitiva (CDI)
Proteção de barra de curto-circuito
Proteção contra corrente de entrada
Controle de motor
Regulação de voltagem
Capacidade de alta temperatura de operação do junção (Tj(max) = 150 °C)
Rápido dados de referência
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín | Tip | Máx | Unidade | |
| Máximo absoluto classificação | |||||||
| V RRM | repetitivo pico inverso tensão | - | - | 800 | V | ||
| I T(RMS) | corrente RMS de estado ligado | meia onda senoidal; T mb \[≤] 128 \u00b0C; | - | - | 25 | A | |
| Fig. 1 ; Fig. 2 ; Fig. 3 | |||||||
| I TSM | pico não repetitivo em- corrente de estado | meia onda senoidal; T j(ini t) = 25 °C; t p = 10 ms; Fig. 4 ; Fig. 5 | - | - | 300 | A | |
| meia onda senoidal; T j(init) = 25 °C; t p = 8.3 ms | - | - | 330 | A | |||
| T j | temperatura de junção | - | - | 150 | °C | ||
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín | Tip | Máx | Unidade | |
| Características estáticas | |||||||
| I GT | corrente de disparo do gate | V D = 12 V; I T = 0.1 A; T j = 25 °C; Fi g. 7 | 1.5 | - | 15 | mA | |
| I H | corrente de retenção | V D = 12 V; T j = 25 °C; Fig. 9 | - | - | 60 | mA | |
| V T | tensão de estado ligado | I T = 30 A; T j = 25 °C; Fig. 10 | - | 1.1 | 1.5 | V | |
| Características dinâmicas | |||||||
| dV D /dt | taxa de aumento de estado desligado tensão | V DM = 536 V; T j = 150 °C; (V DM = 67% de V DRM ); forma de onda exponencial; porta aberta circuito | 80 | - | - | V/ μs | |
Valores limitantes
De acordo com o Sistema de Classificação Máxima Absoluta (IEC 60134).
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín | Máx | Unidade | |
| V DRM | repetitivo pico de desligamento te tensão | - | 800 | V | ||
| V RRM | repetitivo pico inverso tensão | - | 800 | V | ||
| I T(AV) | corrente média de estado ligado | meia onda senoidal; T mb \[≤] 128°C; | - | 16 | A | |
| I T(RMS) | corrente RMS de estado ligado | meia onda senoidal; T mb \[≤] 128°C; Fig. 1 ; Fig. 2 ; Fig. 3 | - | 25 | A |
| I TSM | não repetitivo pico ligado corrente de estado | meia onda senoidal; T j(ini t) = 25 °C; t p = 10 ms; Fig. 4 ; Fig. 5 | - | 300 | A | |
| meia onda senoidal; T j(init) = 25 °C; t p = 8.3 ms | - | 330 | A | |||
| I 2 t | I 2 t para fusão | t p = 10 ms; SIN | - | 450 | A 2 s | |
| d I T /dt | taxa de aumento de estado ligado corrente | I G = 20 mA | - | 200 | A/ ós | |
| I GM | pico do portão corrente | - | 5 | A | ||
| V RGM | pico portão reverso | - | 5 | V | ||
| tensão | ||||||
| P GM | pico do portão potência | - | 20 | W | ||
| P G(AV) | portão médio potência | sobre qualquer 20 ms período | - | 0.5 | W | |
| T stg | temperatura de armazenamento | -40 | 150 | °C | ||
| T j | temperatura de junção | - | 150 | °C |
Características Térmicas
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín | Tip | Máx | Unidade | |
| R th(j-mb) | resistência térmica | Fig. 6 | - | - | 1 | K/W | |
| de junção para | |||||||
| montagem base | |||||||
| R th(j-a) | resistência térmica | em livre ar | - | 60 | - | K/W | |
| de junção para | |||||||
| ar ambiente livre |