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YZPST-M2A016120L
N-Channel SiC Power MOSFET P/N: YZPST-M2A016120L
Características
Alta Tensão de Bloqueio com Baixa Resistência de Condução
Comutação de Alta Velocidade com Baixa Capacitância
Fácil de Paralelizar e Simples de Acionar
Benefícios
Maior Eficiência do Sistema
Requisitos de Resfriamento Reduzidos
Densidade de Potência Aumentada
Frequência de Comutação do Sistema Aumentada
Aplicações
Energia Renovável
Carregadores de Bateria para VE
Conversores DC/DC de Alta Tensão
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação
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MOSFET de potência SiC N-Channel P/N: YZPST-M2A016120L
Características
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência ligada
Comutação de alta velocidade com baixa capacitância
Fácil de paralelizar e simples de acionar
Benefícios
Eficiência do sistema mais elevada
Requisitos de resfriamento reduzidos
Densidade de potência aumentada
Frequência de comutação do sistema aumentada
Aplicações
Energia Renovável
Carregadores de Bateria para VE
Conversores DC/DC de Alta Tensão
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação
Pacote
|
Parte Número |
Pacote |
|
M2A016120L |
TO-247-4 |
Classificação Máxima (T C =25 Celsius a menos que especificado de outra forma Símbolo
| Parâmetro | Parameter | Valor | Unidade | Condições de Teste | Nota |
| VDSmax | Tensão Dreno-Fonte | 1200 | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGSmax | Tensão Porta-Fonte | -8/+22 | V | Valores Máximos Absolutos | |
| VGSop | Tensão Porta-Fonte |
-4/+18 |
V | Valores Operacionais Recomendados | |
| ID | Corrente de Dreno Contínua | 115 | A | VGS=18V, Tc=25℃ | |
| 76 | VGS=18V, Tc=100℃ | ||||
| ID(pulse) | Pulsed Drain Current | 250 | A | Pulse width tp limited by TJmax | |
| PD | Power Dissipation | 582 | W | Tc=25℃, TJ=175℃ | |
| TJ, TSTG | Temperatura de Operação e Armazenamento | -55 a +175 | ℃ |
Características Elétricas (T C =25 Celsius a menos que outro sábio especificado)
| Parâmetro | Parameter | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | Condições de Teste | Nota |
| V(BR)DSS | Tensão de Ruptura Dreno-Fonte | 1200 | / | / | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGS(th) | Tensão de Limiar do Portão | 1.9 | 2.6 | 4 | V | VDS=VGS, ID=23mA | |
| / | 1.8 | / | VDS=VGS, ID=23mA, TJ=175℃ | ||||
| IDSS | Corrente de Dreno Zero de Tensão de Porta | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Corrente de Vazamento Fonte-Dreno | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=22V | |
| IGSS- | Corrente de Vazamento Fonte-Dreno | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=-8V | |
| RDS(on) | Resistência de Estado Ligado Fonte-Dreno | / | 16 | 21 | mΩ | VGS=18V, ID=75A | |
| / | 28 | / | VGS=18V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| gfs | Transcondutância | / | 40.5 | / | S | VDS=20V, ID=75A | |
| / | 37 | / | VDS=20V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| Ciss | Input Capacitance | / | 4300 | / | VGS=0V | ||
| Coss | Output Capacitance | / | 236 | / | pF | VDS=1000V | |
| Crss | Capacitância de Transferência Reversa | / | 35 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Energia Armazenada Coss | / | 136 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | Ligar a Energia de Comutação | / | 2.1 | / | µJ | VDS=800V, VGS=-4V/18V | |
| EOFF | Desligar a Energia de Comutação | / | 1.6 | / | ID=40A, RG(ext)=2.5Ω, L=100μH | ||
| td(on) | Tempo de Atraso de Ligação | / | 150 | / | |||
| tr | Tempo de subida | / | 38 | / | VDS=800V, VGS=-4V/18V, ID=40A RG(ext)=2.5Ω, RL=20Ω | ||
| td(off) | Tempo de desligamento | / | 108 | / | ns | ||
| tf | Tempo de Outono | / | 35 | / | |||
| RG(int) | Resistência Interna do Portão | / | 2.3 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
| QGS | Carga do Portão para a Fonte | / | 60 | / | VDS=800V | ||
| QGD | Porta para Dreno Carga | / | 44 | / | nC | VGS=-4V/18V | |
| QG | Carga Total do Gate | / | 242 | / | ID=40A |
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