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YZPST-M2A016120L
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
Downloads e arquivos técnicos
MOSFET de potência SiC de canal N P/N: YZPST-M2A016120L
Características
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência em condução
Comutação de alta velocidade com baixa capacitância
Fácil de paralelizar e simples de acionar
Benefícios
Maior eficiência do sistema
Menores requisitos de refrigeração
Maior densidade de potência
Maior frequência de comutação do sistema
Aplicações
Energia renovável
Carregadores de baterias para VE
Conversores CC/CC de alta tensão
Fontes de alimentação chaveadas
Encapsulamento
Parte Número | Encapsulamento |
M2A016120L | TO-247-4 |
Valores máximos(TC=25℃ unsalvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VDSmáx | Tensão dreno-fonte | 1200 | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGSmáx | Tensão gate-fonte | -8/+22 | V | Valores máximos absolutos | |
| VGSop | Tensão gate-fonte | -4/+18 | V | Valores operacionais recomendados | |
| ID | Corrente contínua de dreno | 115 | A | VGS=18V, Tc=25℃ | |
| 76 | VGS=18V, Tc=100℃ | ||||
| ID(pulse) | Corrente de dreno pulsada | 250 | A | Largura de pulso tp limitada por TJmax | |
| PD | Dissipação de potência | 582 | W | Tc=25℃, TJ=175℃ | |
| TJ, TSTG | Temperatura de junção e armazenamento em operação | -55 a +175 | ℃ |
Características elétricas(TC=25℃ salvo outramente especificado)
| Símbolo | Parâmetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | Condições de teste | Nota |
| V(BR)DSS | Tensão de ruptura dreno-fonte | 1200 | / | / | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGS(th) | Tensão de limiar da porta | 1.9 | 2.6 | 4 | V | VDS=VGS, ID=23mA | |
| / | 1.8 | / | VDS=VGS, ID=23mA, TJ=175℃ | ||||
| IDSS | Corrente de fuga dreno-fonte com tensão de gate zero | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Corrente de fuga gate-fonte | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=22V | |
| IGSS- | Corrente de fuga gate-fonte | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=-8V | |
| RDS(on) | Resistência dreno-fonte em condução | / | 16 | 21 | mΩ | VGS=18V, ID=75A | |
| / | 28 | / | VGS=18V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| gfs | Transcondutância | / | 40.5 | / | S | VDS=20V, ID=75A | |
| / | 37 | / | VDS=20V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| Ciss | Capacitância de entrada | / | 4300 | / | VGS=0V | ||
| Coss | Capacitância de saída | / | 236 | / | pF | VDS=1000V | |
| Crss | Capacitância de transferência reversa | / | 35 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Energia armazenada em Coss | / | 136 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | Energia de comutação na ligação | / | 2.1 | / | µJ | VDS=800V, VGS=-4V/18V | |
| EOFF | Energia de comutação no desligamento | / | 1.6 | / | ID=40A, RG(ext)=2.5Ω, L=100μH | ||
| td(on) | Tempo de atraso na ligação | / | 150 | / | |||
| tr | Tempo de subida | / | 38 | / | VDS=800V, VGS=-4V/18V, ID=40A RG(ext)=2.5Ω, RL=20Ω | ||
| td(off) | Tempo de atraso no desligamento | / | 108 | / | ns | ||
| tf | Tempo de descida | / | 35 | / | |||
| RG(int) | Resistência interna do gate | / | 2.3 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
| QGS | Carga gate-fonte | / | 60 | / | VDS=800V | ||
| QGD | Carga gate-dreno | / | 44 | / | nC | VGS=-4V/18V | |
| QG | Carga total de gate | / | 242 | / | ID=40A |
Encapsulamento Dimensões
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