YZPST-2SB888
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Transistores encapsulados em plástico TO-92
P/N: YZPST-2SB888
Transistor Darlington de silício planar epitaxial PNP
Aplicações
Controladores de motor, controladores de martelo de impressora, drivers de relé, controle de regulador de tensão.
Características
Alto ganho de corrente CC (5000 ou mais).
Alta capacidade de corrente e ampla ASO.
Baixa tensão de saturação: VCE(sat)=–0,8 V típ.
Absoluto Máximo Máximos a Ta = 25˚C
Símbolo | Parâmetro | Condições | Máximos | Unidade |
VCBO | Tensão coletor-basetensão |
| –80 | V |
V CEO | Tensão coletor-emissortensão |
| –50 | V |
VEBO | Tensão emissor-base |
| –10 | V |
IC | Corrente de coletor |
| –0,7 | A |
ICP | Corrente de coletor (Pulso) |
| –2 | A |
PC | Admissível Coletor Dissipação |
| 600 | mW |
Tj | Junção Temperatura |
| 150 | ˚C |
Tstg | Temperatura de armazenamento |
| –55 a +150 | ˚C |
Características elétricas Características em Ta = 25˚C
Símbolo | Parâmetro | Condições | Máximos | Unidade | ||
mín. | typ | máx. | ||||
ICBO | Corrente de corte do coletor Corrente | V CB=–40V, IE=0 |
|
| –0,1 | µA |
IEBO | Corte do emissor Corrente | VEB=–8V, IC=0 |
|
| –0,1 | µA |
h FE1 | CC Corrente Ganho | VCE=–2V, IC=–50mA | 5000 |
|
|
|
h FE2 | VCE=–2V, IC=–500mA | 3000 |
|
|
| |
fT | Ganho-largura de banda Produto | VCE=–5V, IC=–50mA |
| 170 |
| MHz |
Cob | Saída Capacitância | V CB=–10V, f=1MHz |
| 16 |
| pF |
VCE(sat) | Tensão de saturação coletor-emissor | IC=–100mA, IB=–0.1mA |
| –0.8 | –1.2 | V |
V BE(sat) | Tensão de saturação base-emissortensão | IC=–100mA, IB=–0.1mA |
| –1.3 | –2.0 | V |
V(BR)CBO | Tensão de ruptura coletor-base Ruptura de tensão | IC=–10µA, IE=0 | –80 |
|
| V |
V(BR)CEO | Tensão de ruptura coletor-emissor Ruptura de tensão | IC=–1mA, R BE=∞ | –50 |
|
| V |
V(BR)EBO | Emissor para Base Tensão de ruptura | IE=–10µA, IC=0 | –10 |
|
| V |
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