YZPST-100HF120TK-G1
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Módulo IGBT YZPST-100HF120TK-G1
CARACTERÍSTICAS
Alta capacidade de curto-circuito, corrente de curto-circuito autolimitada
CHIP IGBT (tecnologia Trench + Field Stop)
VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo, comutação rápida, baixas perdas de comutação
Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
APLICAÇÕES
Aplicações de comutação em alta frequência
Conversores de soldagem
Controle de movimento/servo
Sistemas UPS
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS TC=25°C, salvo indicação em contrário
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Valores | Unidade |
IGBT | ||||
VCES | Tensão coletor-emissor | TVj=25°C | 1250 | V |
VGES | Tensão gate-emissor |
| ±30 | V |
IC |
Corrente contínua do coletor | TC=25°C | 150 | A |
TC=80°C | 100 | A | ||
ICM | Corrente de pico repetitiva do coletor | tp=1 ms | 200 | A |
Ptot | Dissipação de potência por IGBT | 694 | W | |
Diodo | ||||
VRRM | Tensão reversa repetitiva | TVj=25°C | 1250 | V |
IF(AV) |
Corrente média direta | TC=25°C | 150 | A |
TC=80°C | 100 | A | ||
IFRM | Corrente direta de pico repetitiva | tp=1 ms | 200 | A |
MÓDULO CARACTERÍSTICASTC=25°C salvo indicação em contrário especificado
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
TVj máx | Temperatura máxima da junção |
| 150 | °C | ||
TVj op | Temperatura de operação |
| -40 |
| 150 | °C |
Tstg | Temperatura de armazenamento |
| -40 | 125 | °C | |
Visol | Tensão de teste de isolamento | CA, t=1 min | 3000 | V | ||
Torque | Para dissipador | M6 recomendado | 3 |
| 5 | N·m |
Torque | Terminal a terminal | M5 recomendado | 2.5 |
| 5 | N·m |
Peso |
|
|
| 176 |
| g |
DIAGRAMA DO CIRCUITO
DESENHO DA EMBALAGEM
Para mais informações sobre YZPST-100HF120TK-G1baixe o arquivo PDF acima chamado "YZPST-100HF120TK-G1"
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