YZPST-100HF120TK-G1

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Módulo IGBT YZPST-100HF120TK-G1
CARACTERÍSTICAS
Alta capacidade de curto-circuito, corrente de curto-circuito autolimitada
CHIP IGBT (tecnologia Trench + Field Stop)
VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo, comutação rápida, baixas perdas de comutação
Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
APLICAÇÕES
Aplicações de comutação em alta frequência
Conversores de soldagem
Controle de movimento/servo
Sistemas UPS
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS TC=25°C, salvo indicação em contrário
Símbolo
Parâmetro
Condições de teste
Valores
Unidade
IGBT
VCES
Tensão coletor-emissor
TVj=25°C
1250
V
VGES
Tensão gate-emissor

±30
V

IC

Corrente contínua do coletor
TC=25°C
150
A
TC=80°C
100
A
ICM
Corrente de pico repetitiva do coletor
tp=1 ms
200
A
Ptot
Dissipação de potência por IGBT
694
W
Diodo
VRRM
Tensão reversa repetitiva
TVj=25°C
1250
V

IF(AV)

Corrente média direta
TC=25°C
150
A
TC=80°C
100
A
IFRM
Corrente direta de pico repetitiva
tp=1 ms
200
A

MÓDULO CARACTERÍSTICASTC=25°C salvo indicação em contrário especificado
Símbolo
Parâmetro
Condições de teste
Mín.
Típ.
Máx.
Unidade
TVj máx
Temperatura máxima da junção

150
°C
TVj op
Temperatura de operação

-40

150
°C
Tstg
Temperatura de armazenamento

-40
125
°C
Visol
Tensão de teste de isolamento
CA, t=1 min
3000
V
Torque
Para dissipador
M6 recomendado
3

5
N·m
Torque
Terminal a terminal
M5 recomendado
2.5

5
N·m
Peso

176

g
DIAGRAMA DO CIRCUITO

DESENHO DA EMBALAGEM

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Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Valores	Unidade
IGBT
VCES	Tensão coletor-emissor	TVj=25°C	1250	V
VGES	Tensão gate-emissor		±30	V
IC	Corrente contínua do coletor	TC=25°C	150	A
IC	Corrente contínua do coletor	TC=80°C	100	A
ICM	Corrente de pico repetitiva do coletor	tp=1 ms	200	A
Ptot	Dissipação de potência por IGBT		694	W
Diodo
VRRM	Tensão reversa repetitiva	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Corrente média direta	TC=25°C	150	A
IF(AV)	Corrente média direta	TC=80°C	100	A
IFRM	Corrente direta de pico repetitiva	tp=1 ms	200	A

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