YZPST-75HF120TK-G1

YZPST-75HF120TK-G1

Módulo IGBT de 75A 1200V

CARACTERÍSTICAS
Alta capacidade de curto-circuito, corrente de curto-circuito auto-limitada

Alta capacidade de curto-circuito, corrente de curto-circuito auto-limitada

CHIP IGBT (tecnologia Trench + Field Stop)

VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo

Comutação rápida e corrente de cauda curta, baixas perdas de comutação

Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

Sensor de temperatura incluído

APLICAÇÕES

Aplicação de comutação em alta frequência

Conversores de soldagem

Controle de movimento/servo

Sistemas UPS

Sistemas UPS

MÁXIMO ABSOLUTO VALORES TC=25°C salvo indicação em contrário especificado

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Valores	Unidade
IGBT
VCES	Tensão coletor-emissor	TVj=25°C	1250	V
VGES	Tensão gate-emissor		±30	V
IC	Corrente contínua do coletor	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
ICM	Corrente de pico repetitiva do coletor	tp=1 ms	150	A
Ptot	Dissipação de potência por IGBT		500	W
Diodo
VRRM	Tensão reversa repetitiva	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Corrente média direta	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
IFRM	Corrente direta de pico repetitiva	tp=1 ms	150	A
I2t		TVj=125°C, t=10ms, VR=0V	2810	A2s

CARACTERÍSTICAS DO MÓDULO

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade
TVj máx	Temperatura máxima da junção				150	°C
TVj op	Temperatura de operação		-40		150	°C
Tstg	Temperatura de armazenamento		-40		125	°C
Visol	Tensão de teste de isolamento	CA, t=1 min		3000		V
Torque	Para dissipador	M6 recomendado	3		5	N·m
Torque	Terminal a terminal	M5 recomendado	2.5		5	N·m
Peso				176		g

DESENHO DA EMBALAGEM

Para mais informações sobreYZPST-75HF120TK-G1por favor, baixe o arquivo PDF acima nomeado "YZPST-75HF120TK-G1"