YZPST-CR03

VALORES NOMINAIS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Faixa de temperatura de junção de armazenamento

Tstg

-40 ~150

℃

Faixa de temperatura de junção em operação

Tj

-40~125

℃

Tensão repetitiva de pico em estado de bloqueio (T=25℃)

VDRM

1400

V

Tensão reversa repetitiva de pico (T=25℃)

VRRM

1400

V

Tensão de pico de bloqueio em estado desligado não repetitiva

VDSM

V_DRM+100

V

Tensão reversa de pico não repetitiva

VRSM

V_RRM+100

V

Corrente RMS em condução

IT(RMS)

1.25

A

Corrente de pico de surto não repetitiva em condução

(180° ângulo de condução, F=50 Hz)

ITSM

20

A

I2Valor de t para fusão (tp=10ms)

I2t

2.0

A2S

Taxa crítica de aumento da corrente em estado de condução

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

di/dt

50

A/μS

Corrente de pico de gate

IGM

1.0

A

Dissipação média de potência da gate

PG(AV)

0.1

W

MáximadTemperatura do dispositivo para

propósitos de soldagem(para10 segundos mmáximo)

T_L

260

℃

Nível de ESD

HBM

Classe 3 (4000–16000 V)

Nível de sensibilidade à umidade

MSL

Três níveis

(30℃, 60% UR, 168 h)

Resistências térmicas

Símbolo

Parâmetro

Valor

Unidade

Rth(j-a)

junção ao ambiente (CC)

60

℃/W

Rth(j-t)

Junção ao dissipador (CC)

25

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T=25℃ salvo indicação em contrário)

Símbolo

Condição de teste

Valor

Unidade

MÍN.

TÍP.

MAX.

IGT

V =12V R =140Ω

20

50

100

µA

VGT

-

0.8

1.0

V

VGD

V_D=V_DRMTj=125℃ R=1KΩ

0.2

V

I_L

I_G=1,2I_GT

-

-

6

mA

I_A

IT=50mA

-

-

5

mA

dV/dt

VD=600 V, RGK=1 kΩ, Tj=110 ℃

100

-

-

V/μs

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Símbolo

Parâmetro

Valor(MAX.)

Unidade

VTM

ITM = 2,5 A tp=380 μs

Tj =25℃

1.5

V

IDRM

VD=VDRMVR=VRRM

Tj =25℃

5

μA

IRRM

Tj =125℃

0.5

mA