YZPST-G15T60FS
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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Características
600V,15A
VCE(sat)(typ.)=1,8V@VGE=15V,IC=15A
Alta velocidade comutação
Maior eficiência do sistema eficiência
Desligamento suave da corrente formas de onda
Quadrada RBSOA
Descrição geral
YZPSTOs IGBTs de trincheira YZPST oferecem menores perdas e maior eficiência energética para aplicações como IH (aquecimento por indução), UPS, inversores gerais e outras aplicações de comutação suave.
Classificações máximas absolutas
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidades |
VCES | Tensão coletor-emissor | 600 | V |
VGES | Tensão gate-emissor | + 20 | V |
IC | Corrente contínua do coletor (TC=25 ℃) | 14 | A |
Corrente contínua do coletor (TC100℃) | 8 | A | |
ICM | Corrente de coletor pulsada (Nota 1) | 45 | A |
IF | Corrente contínua direta do diodo (TC=100 ℃) | 8 | A |
IFM | Corrente máxima direta do diodo (Nota 1) | 45 | A |
tsc | Tempo de suportabilidade a curto-circuito | 10 | us |
PD | Dissipação máxima de potência (TC=25 ℃) | 28 | W |
Dissipação máxima de potência (TC100℃) | 11 | W | |
TJ | Faixa de temperatura de operação da junção | -55 a +150 | ℃ |
TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a +150 | ℃ |
Características térmicas
Símbolo | Parâmetro | Máx. | Unidades |
Rth j-c | Resistência térmica, junção a encapsulamento para IGBT | 4.4 | ℃/ W |
Rth j-c | Resistência térmica, junção a encapsulamento para diodo | 5.2 | ℃/ W |
Rth j-a | Resistência térmica, junção ao ambiente | 65 | ℃/ W |
Para mais informações sobreYZPST-G15T60FSpor favor, baixe o arquivo PDF acima chamado "YZPST-G15T60FS"
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