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COMPONENTE DE POTÊNCIA
YZPST-MFC200-16
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YZPST-MFC200-16
MÓDULO TIRISTOR / DIODO
Características:
Transferência de calor por base metálica isolada em cerâmica de nitreto de alumínio
- Juntas soldadas a quente para alta confiabilidade
Tiristor com gate amplificador
Aplicações típicas:
Controle de motor CC - soft starters para motor CA
Controle de temperatura
Controle profissional de dimerização
Bloqueio reverso - estado de bloqueio
| Tipo de dispositivo | VRRM (1) | VDRM (1) | VRSM (1) |
| YZPST MFC200 | 1600 V | 1600 V | 1700 V |
VRRM = Tensão inversa de pico repetitiva
VDRM = Tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio
VRSM = tensão de pico reversa não repetitiva (2)
| Corrente de fuga de pico repetitiva em reverso e em estado de bloqueio | IRRM, IDRM | 70 mA (3) |
| Taxa crítica de subida da tensão em estado de bloqueio | dv/dt | 1000 V/µs (4) |
Estado
| Parâmetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidade | Condições | |
| Corrente média em estado ligado / direta | ITAV, IFAV | 216 | A | onda senoidal de 50 Hz, condução de 180° | |||
| Tc = 85 °C | |||||||
| Corrente RMS em estado ligado / direta | ITRMS, IFRMS | 340 | A | onda senoidal de 50 Hz, condução de 180° | |||
| Tc = 85 °C | |||||||
| Corrente de surto não repetitiva | ITSM, IFSM | 6.8 | kA | onda senoidal de 50 Hz | |||
| meio ciclo | |||||||
| I ao quadrado t | I²t | 231 | kA2s | VR = 0 | |||
| Tj = Tjmax | |||||||
| Tensão de pico em estado ligado / direta | VTM, VFM | 1.1 | V | Corrente em estado ligado 200 A, Tj = Tjmax | |||
| Tensão de limiar | VT(TO) | 0.8 | V | Tj = Tjmax | |||
| Resistência de inclinação em estado ligado | rT | 1.4 | mΩ | Tj = Tjmax | |||
| Corrente de manutenção | IH | 150 | mA | Tj = 25 °C | |||
| Corrente de travamento | IL | 200 | mA | Tj = 25 °C | |||
| Taxa crítica de variação de subida da corrente em estado ligado | di/dt | 500 | A/µs | IG = 5 IGT, tr = 1 µs, Tj = Tjmax, não rep. | |||
| Tensão de isolamento RMS | VINS | 3000 | V | CA 50 Hz, 60 s | |||
Acionamento
| Parâmetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Típ. | Unidade | Condições | |
| Corrente de gate | IGT | 150 | mA | VD = 6 V; RL = 6 Ω; Tj = 25 °C | |||
| Tensão de gate | VGT | 2 | V | VD = 6 V; RL = 6 Ω; Tj = 25 °C | |||
ESBOÇO E DIMENSÕES
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
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