transistores de potência de silício complementares 2N3055/MJ2955

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transistores de potência de silício complementares 2N3055/MJ2955

2N3055-MJ2955-E PST.pdf

descrição1

Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino

TRANSISTORES DE POTÊNCIA DE SILÍCIO COMPLEMENTARES

DESCRIÇÃO
O 2N3055 é um transistor NPN planar de base epitaxial de silício montado em invólucro metálico TO-3 da Jedec.
Destina-se a circuitos de comutação de potência, reguladores série e paralelo, estágios de saída e amplificadores de alta fidelidade.
O tipo PNP complementar é o MJ2955.

A B S O L U T E M A X I M U M R A T I N G S ( T a = 2 5 O C)

Parâmetro	l	Valor	Unidade
Tensão Coletor-Base	V CBO	100	V
Tensão Coletor-Emissor	V CEO	60	V
Tensão Emissor-Base	V EBO	7	V
Corrente do Coletor	I C	15	A
Corrente da Base	I B	7	A
Dissipação Total em	P tot	115	W
Temperatura Máxima de Operação na Junção	T j	150	o C
Temperatura de Armazenamento	T stg	0	o C

E L E C T R I C A L CH AR AC T E R I S T I C S ( T a = 2 5 O C)

Parâmetro

Símbolo

Teste Condições

Mín.

Típ.

Máx.

Unidade

Corrente de corte do coletor

I CEO

V CE =50V, I B =0

"—"

"—"

0.7

mA

Corrente de corte do emissor

I EBO

V EB =7V, I C =0

"—"

"—"

5.0

mA

Tensão de Sustentação Coletor-Emissor

V CEO

I C =100mA, I B =0

60

"—"

"—"

V

Ganho de Corrente Contínua

h FE(1)

V CE =4.0V, I C =4.0A

30

"—"

70

h FE(2)

V CE =4.0V, I C =10A

15

"—"

Tensão de Saturação Coletor-Emissor

V CE(sat)

I C =4.0A,I B =400mA

"—"

"—"

1.0

V

I C =10A,I B =3.3A

"—"

"—"

3.0

Tensão Base-Emissor Ligado

V BE(ligado)

V CE =4V,I C =4.0A

"—"

"—"

1.8

V

Produto de Ganho de Corrente em Frequência

f T

V CE =4.0V,I C =500mA

"—"

3.0

"—"

MHz

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ENTRE EM CONTATO

Inquérito

Parâmetro	Símbolo	Teste Condições	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade
Corrente de corte do coletor	I CEO	V CE =50V, I B =0	"—"	"—"	0.7	mA
Corrente de corte do emissor	I EBO	V EB =7V, I C =0	"—"	"—"	5.0	mA
Tensão de Sustentação Coletor-Emissor	V CEO	I C =100mA, I B =0	60	"—"	"—"	V
Ganho de Corrente Contínua	h FE(1)	V CE =4.0V, I C =4.0A	30	"—"	70
Ganho de Corrente Contínua	h FE(2)	V CE =4.0V, I C =10A	15	"—"
Tensão de Saturação Coletor-Emissor	V CE(sat)	I C =4.0A,I B =400mA	"—"	"—"	1.0	V
Tensão de Saturação Coletor-Emissor	V CE(sat)	I C =10A,I B =3.3A	"—"	"—"	3.0	V
Tensão Base-Emissor Ligado	V BE(ligado)	V CE =4V,I C =4.0A	"—"	"—"	1.8	V
Produto de Ganho de Corrente em Frequência	f T	V CE =4.0V,I C =500mA	"—"	3.0	"—"	MHz