YZPST-13005D
TRANSISTORES DE POTÊNCIA DE SILÍCIO NPN 13005D
• DESCRIÇÃO:
O 13005D é um transistor NPN usado em balastros eletrônicos e lâmpadas eletrônicas de economia de energia. Possui as características de baixa perda de comutação, alta confiabilidade, boas características de alta temperatura, velocidade de comutação adequada, alta tensão de ruptura e baixa fuga reversa.
• CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
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Símbolo |
Parâmetro |
Valor |
Unidade |
|
|
V CBO |
Tensão Coletor-Base |
700 |
V |
|
|
V CEO |
Tensão Coletor-Emissor |
400 |
V |
|
|
V EBO |
Tensão Emissor-Base |
9 |
V |
|
|
I C |
Corrente Contínua do Coletor |
3 |
A |
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|
Icm |
Corrente de Pulso do Coletor uff08 Tp uff1c 5ms uff09 |
6 |
A |
|
|
P TOT |
Dissipação total em Tcase=25 ℃ |
TO-126SD |
50 |
W |
|
TO-220 |
75 |
|||
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T j |
Temperatura de Junção |
150 |
℃ |
|
|
T stg |
Faixa de Temperatura de Armazenamento |
-55 — 150 |
℃ |
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• CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TC = 25°C, salvo indicação em contrário)
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Símbolo |
Parâmetro |
Condição de Teste |
Valor |
Unidade |
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Mínimo |
Tipo |
Máximo |
||||
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I CBO |
Corrente de Corte do Coletor |
V CB = 700 V uff0c I E = 0 |
|
|
0.1 |
mA |
|
I CEO |
Corrente de Corte da Base |
V CE = 400 V uff0c Ic = 0 |
|
|
0.1 |
mA |
|
I EBO |
Corrente de Corte do Emissor |
V EB = 9 V uff0c I C = 0 |
|
|
0.1 |
mA |
|
V CBO |
Tensão de Ruptura Coletor-Base |
I C = 0.1mA |
700 |
|
|
V |
|
V CEO |
Tensão de Ruptura Coletor-Emissor |
I C = 0.1mA |
400 |
|
|
V |
|
V EBO |
Tensão de Ruptura Emissor-Base |
I B = 0.1mA |
9 |
|
|
V |
|
h FE |
Ganho de Corrente CC |
I C = 0.5A,V CE = 5V |
15 |
|
35 |
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|
um V CE sat |
Tensão de Ruptura Coletor-Base |
I C = 2A,I B = 0.5A |
|
|
1 |
V |
|
um V BE sat |
Tensão de Saturação Base-Emissor |
I C = 2A,I B = 0.5A |
|
|
1.5 |
V |
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ts |
Tempo de Armazenamento |
UI9600 uff0c Ic=0.5A |
2 |
|
7 |
us |
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f T |
Frequência de Transição |
V CE =10V uff0c I C =0.2A F=1MHz |
5 |
|
|
MHz |
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um uff1a Teste de Pulso uff0c tp u2264 300us uff0c deltau2264 2% |
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ullet DADOS MECÂNICOS DO PACOTE