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YZPST-30TPS12
30TPS12 Tiristores P/N:YZPST-30TPS12
Alta Tensão 30TPS12 30A SCR TO-247
DESCRIÇÃO:
A série de tiristores de alta tensão 30TPS12 é especificamente projetada para aplicações de comutação de potência média e controle de fase. A tecnologia de passivação de vidro utilizada tem operação confiável até a temperatura de junção de 125 °C. As aplicações típicas estão na retificação de entrada (partida suave) e esses produtos são projetados para serem usados com diodos de entrada, chaves e retificadores de saída, que estão disponíveis em contornos de pacote idênticos.
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30TPS12 Tiristores P/N:YZPST-30TPS12
Alta Tensão 30TPS12 30A SCR TO-247
DESCRIÇÃO:
A Série de Alta Tensão 30TPS12 de retificadores controlados de silício é especificamente projetada para aplicações de comutação de potência média e controle de fase. A tecnologia de passivação de vidro utilizada tem operação confiável até a temperatura de junção de 125 °C. As aplicações típicas estão na retificação de entrada (partida suave) e esses produtos são projetados para serem usados com diodos de entrada, chaves e retificadores de saída, que estão disponíveis em contornos de pacote idênticos.
Símbolo
|
Símbolo |
Valor |
|
IGT |
≤35 mA |
|
IT(RMS) |
30 A |
|
VRRM |
1200 V |
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°C, salvo indicação em contrário)
|
Símbolo |
PARÂMETRO |
Valor |
Unidade |
|
V DRM |
Tensão de pico repetitiva de estado desligado (Tj = 25°C) |
1200 |
V |
|
VRRM |
Tensão de pico reversa repetitiva (Tj=25°C) |
1200 |
V |
|
IT(AV) |
Corrente média de estado ligado (ângulo de condução de 180°) |
20 |
A |
|
IT(RMS) |
Corrente eficaz de estado ligado (onda senoidal completa) |
30 |
A |
|
ITSM |
Corrente de pico de surto não repetitivo de estado ligado (ângulo de condução de 180°, F=50Hz, TC=85°C) |
300 |
A |
|
I2t |
I2t para Fusão (t = 10 ms) |
450 |
A2s |
|
dI / dt |
Taxa crítica de aumento da corrente de estado ligado (I = 2 × IGT, tr ≤ 100 ns) |
50 |
A/μs |
|
IGM |
Corrente de Porta Máxima |
4 |
A |
|
PG(AV) |
Dissipação média de potência do portão |
1 |
W |
|
Tstg |
Faixa de temperatura de junção de armazenamento |
-40 ~ 150 |
°C |
|
TJ |
Faixa de temperatura de junção operacional |
-40 ~ 125 |
°C |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj = 25°C, salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Condição de teste | Valor | Unidade | |
| Mín | Máx | |||
| IGT | V = 12V R = 33Ω | 35 | mA | |
| VGT | 1.3 | V | ||
| VGD | VD=VDRM Tj=125℃ | 0.2 | V | |
| IL | IG=1.2IGT | 180 | mA | |
| IH | IT=500mA | 120 | mA | |
| dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | 500 | V/μs | |
| VTM | ITM = 45A tp = 380μs | 1.7 | V | |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | 20 | μA | |
| IRRM | 4 | mA | ||
DADOS MECÂNICOS DO PACOTE
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