YZPST-75HF120TK-G1

Módulo IGBT 75A 1200V

CARACTERÍSTICAS
Alta capacidade de curto-circuito, corrente de curto-circuito auto-limitante

Alta capacidade de curto-circuito, corrente de curto-circuito auto-limitante

CHIP IGBT (tecnologia Trench+ Field Stop)

VcE(sat) com coeficiente de temperatura positivo

Comutação rápida e corrente de cauda curta, baixas perdas de comutação

Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

Sensor de temperatura incluído

APLICAÇÕES

Aplicação de comutação de alta frequência

Conversores de soldagem

Controle de movimento/servo

Sistemas UPS

Sistemas UPS

VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS CLASSIFICAÇÕES T C =25°C a menos que especificado de outra forma especificado

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Valores	Unidade
IGBT
V CES	Tensão Coletor - Emissor	T Vj =25°C	1250	V
V GES	Tensão Porta - Emissor		±30	V
I C	Corrente Contínua do Coletor	T C =25°C	115	A
		T C =80°C	75	A
I CM	Corrente Repetitiva de Coletor de Pico	t p =1ms	150	A
P tot	Dissipação de Potência por IGBT		500	W
Díodo
V RRM	Tensão Repetitiva Reversa	T Vj =25°C	1250	V
I F(AV)	Corrente Média Direta	T C =25°C	115	A
		T C =80°C	75	A
I FRM	Corrente Repetitiva de Pico Direto	t p =1ms	150	A
I 2 t		T Vj =125°C, t=10ms, V R =0V	2810	A 2 s

CARACTERÍSTICAS DO MÓDULO

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Mín.	Tipo	Máx.	Unidade
T Vj máx	Temperatura Máxima de Junção				150	°C
T Vj op	Temperatura de Operação		-40		150	°C
T stg	Temperatura de Armazenamento		-40		125	°C
V isol	Tensão de Teste de Isolamento	AC, t=1min		3000		V
Torque	Para-Sink	Recomendado M6	3		5	N·m
Torque	To-Terminal	Recomendado M5	2.5		5	N·m
Peso				176		g

ESBOÇO DO PACOTE

Para mais informações sobre YZPST-75HF120TK-G1 por favor, baixe o arquivo PDF acima chamado " YZPST-75HF120TK-G1"