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YZPST-FF600R12ME4
Dica: inclua o número da peça, a tensão/corrente alvo e o ambiente de aplicação.
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YZPST-FF600R12ME4
Módulo de potência IGBT
Aplicações
Inversor para acionamento de motor
Amplificador de acionamento servo AC e DC
UPS (Fontes de alimentação ininterruptas)
Características
Baixo Vce(sat) com tecnologia SPT+
Vce(sat) com coeficiente de temperatura positivo
Inclui FWD antiparalelo de recuperação rápida e suave
Alta capacidade de curto-circuito (10 us)
Estrutura de módulo de baixa indutância
Absoluto Máximo Máximos
Parâmetro | Símbolo | Condições | Valor | Unidade |
Tensão coletor-emissor | VCES | VGE=0V, IC =1 mA, Tvj=25℃ | 1200 | V |
Corrente contínua de coletorente | IC | Tc100℃ | 600 | A |
Corrente de pico do coletor | ICRM | ICRM=2IC | 1200 | A |
Tensão gate-emissor | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Dissipação total Dissipação de potência (inversor IGBT) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 3750 | W |
Características do IGBT
| Parâmetro | Valor | Unidade | ||||
| Símbolo | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Tensão de limiar gate-emissor | VGE(th) | VGE=VCE, IC =3 mA, Tvj=25℃ | 5 | 5.8 | 6.5 | V |
| VCE=1200 V, VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Coletor-emissor Ccorrente de corte | ICES | VCE=1200 V, VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Coletor-Emissor | Ic=600A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.7 | V | |||
| Tensão de saturação | VCE(sat) | Ic=600A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 2 | V | ||
| Capacitância de entrada | Cies | 43.1 | nF | |||
| Capacitância de saída | Coes | VCE=25V,VGE =0V, | 2.25 | nF | ||
| Capacitância de transferência reversa | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 1.95 | nF | ||
| Gate interno Resistência | Rgint | 1.25 | Ω | |||
| Ligação Tempo de atraso | td(on) | 250 | ns | |||
| Tempo de subida | tr | IC =600 A | 88 | ns | ||
| Tempo de atraso no desligamento | td(off) | VCE = 600 V | 560 | ns | ||
| Tempo de descida | tf | VGE = ±15V | 131 | ns | ||
| Energia Dissipação Durante a ligação Tempo | Eon | RG = 1,2 Ω | 33.1 | mJ | ||
| Energia Dissipação Durante o desligamentodesligado Tempo | Edesligado | Tvj=25℃ | 57.8 | mJ | ||
| Ligação Tempo de atraso | td(on) | 300 | ns | |||
| Tempo de subida | tr | IC =600 A | 102 | ns | ||
| Tempo de atraso no desligamento | td(off) | VCE = 600 V | 650 | ns | ||
| Tempo de descida | tf | VGE = ±15V | 180 | ns | ||
| Energia Dissipação Durante a ligação Tempo | Eon | RG = 1,2 Ω | 50.2 | mJ | ||
| Energia Dissipação Durante o desligamentodesligado Tempo | Edesligado | Tvj=125℃ | 87.8 | mJ | ||
| Tp≤10 us, VGE=15 V, | ||||||
| SC Dados | Isc | Tvj=150℃,Vcc=600 V, | 2400 | A | ||
| VCEM≤1200 V | ||||||
Encapsulamento Dimensões
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Dispositivos semicondutores de potência, componentes de proteção e soluções industriais de energia.
