YZPST-CLA100E16

ABSOLUTOS MÁXIMOS VALORES

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Armazenamento junção  temperatura faixa

Tstg

-40 ~ 150

℃

Operação junção temperatura faixa

Tj

-40~ 125

℃

Tensão repetitiva de pico em estado de bloqueio(T =25℃)

VDRM

1200/1600

V

Tensão repetitiva de pico reversa (T =25℃)

VRRM

1200/1600

V

Tensão de estado bloqueado de pico de surto não repetitivoidade

VDSM

VDRM +100

V

Não repetitivo pico reverso tensão

VRSM

VRRM +100

V

Corrente RMS em condução (T = 100℃)

IT(RMS)

160

A

Corrente de pico de surto não repetitiva em condução

ITSM

1150

A

Corrente média em condução (180° ângulo de condução)

IT(AV)

100

A

I2valor t para fusão (tp= 10ms)

I2t

6600

A2 S

Taxa crítica de de subida de on-de condução curren

t(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

di/dt

150

A/μS

Pico da gate corrente do coletor

IGM

5

A

Dissipação média de potência da gate

PG(AV)

1

W

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T=25℃ salvo indicação em contrário)

Símbolo

Condição de teste

Valor

Unidade

IGT

V = 12V R = 140Ω

MAX.

40

mA

VGT

MAX.

1.5

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ

MÍN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT  Tj=25℃

MAX.

250

mA

IA

VD=12V Tj=25℃

MAX.

200

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Aberto  Tj=125℃

MÍN.

1000

V/μs