YZPST-BT139X-600D

P/N: YZPST-BT139 Series 16A Triacs

YZPST-BT139X-600D

DESCRIÇÃO:

Com baixa corrente de retenção e de travamento, os triacs da série BT139 são especialmente recomendados para uso em cargas de potência de tipo resistência média e pequena.

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YZPST-BT139X-600D

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descrição1

Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino

YZPST-BT139X-600D 600V BT139X-600D triac com baixa corrente de retenção e latching

P/N: YZPST-Série BT139 Triacs de 16A

YZPST-BT139X-600D

DESCRIÇÃO:

Com baixa corrente de retenção e de travamento, BT139 Os triacs da série são especialmente recomendados para uso em cargas de potência de tipo resistência média e pequena.

PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:

símbolo	valor	unidade
TI (RMS)	16	A
VDRM/VRRM	600/800	V
VTM	u22641.6	V

u200bABSOLUTO MÁXIMO CLASSIFICAÇÕES:

Parâmetro		Símbolo	Valor	Unidade
Armazenamento faixa de temperatura de junção		T stg	-40~150	"C"
Operacional faixa de temperatura de junção		T j	-40~125	"C"
Tensão de pico repetitiva de estado desligado (T j =25 "C" )		V DRM	600/800	V
Pico repetitivo inverso vo ltage (T j =25 "C" )		V RRM	600/800	V
corrente RMS no estado ligado		I T(RMS)	16	A
surgimento não repetitivo pico de corrente no estado ligado curr ent
(ciclo completo, F=50Hz)		I TSM	140	A
I 2 valor de t para fusão (t p =10ms)		I 2 t	98	A 2 s
Taxa crítica de aumento de estado ligado corrente (I G =2 imes I GT )		I - II - III	50
	dI/dt	IV	10	A/ μs
Pico gate corrente		I GM	2	A

Dissipação média de potência do portão	PG(AV)	0.5	W
Potência de pico do portão	PGM	5	W

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj=25 ℃ a menos que seja especificado)

Parâmetro				Valor
Parâmetro	Condição de teste	Quadrante		D	E	F	Unidade
		Ⅰ- Ⅱ- Ⅲ		5	10	25
I GT		IV		10	25	70	mA
V GT	V D =12V, R L =33Ω	Ⅰ- Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.3			V
V GD	V D = V DRM	Ⅰ- Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2			V
I H	I T =100 mA		MAX	10	20	40	mA
		\		15	30	50
I L	I G =1.2 I GT	II	MAX	20	40	70	mA
	V D =0.66×V DRM T j =125 "C" Porta aberta
dV/dt	V D =0.66×V DRM T j =125 "C" Porta aberta		MIN	20	50	100	V/ μs