Símbolo

Valor

Unidade

IT(RMS)

4

A

VDRM / VRRM

≥800

V

ITSM

25

A

Símbolo

Parâmetro

Valor

Unidade

IT (RMS)

Corrente RMS no estado ligado (onda senoidal completa)

4

A

ITSM

Corrente de pico não repetitiva no estado ligado

Corrente (Tj=25℃, tp=20ms)

25

A

I2t

I2t para fusão (tp=10ms)

3.1

A2S

IGM

Corrente de pico do portão

2

A

VGM

Tensão de pico do portão

5

V

PGM

Potência de pico do portão

5

W

PG(AV)

Potência média do portão

0.5

W

di/dt

Taxa de subida repetitiva da corrente de estado ligado após a ativação

(IT=6A,IG=0.2A,dlG/dt=0.2A/us)

100

A/μs

Tstg

Tj

Temperatura de armazenamento

Temperatura de junção operacional

-40--+150

-40--+110

℃

Símbolo

Parâmetro

Condição

Mín

Tipo

Máx

Unidade

Rth j-mb

Resistência Térmica, Junção para mb

Um ciclo Meio ciclo

——

——

——

——

3.0

3.7

K/W

K/W

Rth j-a

Térmico

Resistência, Junção para ambiente

em ar livre

----

60

----

K/W

Símbolo

Condições

Mín

Tipo

Máx

Unidade

BT204-

VD=12V  IT=0.1A T2+ G+

T2+ G-

35

mA

IGT

T2- G-

——

35

mA

——

35

mA

——

IH

VD=12V IGT=0.1A

2

12

mA

IL

IG=2×IGT

Ⅰ-Ⅱ

6

mA

Ⅱ

9

VTM

IT=8A

——

1.25

1.7

V

IDRM

V DRM=600V

10

μA

IRRM

VRRM=600V

10

μA

VD=12V IT=0.1A

0.7

1.65

V

VGT

VD=400V IT=0.1A

0.25

0.4

1.5

V

Tj=125℃

VD=VDRM(MAX)

mA

ID

Tj=125℃

——

0.1

0.5

Símbolo

Condições

Mín

Tipo

Máx

Unidade

dVD/dt

VDM=67%VDm（MAX）

Tj=125℃

30

V/μs

tgt

ITm=12A VD=VDRM（MAX）

IG=0.1A dlG/dt=5A/ms

2

----

μs