Símbolo

Item

Condições

Classificações

Unidade

Eu _{T RMS}

Corrente de Estado Sólido R.M.S.

Tc

40

A

Eu _TSM

Corrente de Estado Sólido de Sobretensão

Um ciclo, 50Hz/, pico, não repetitivo

400

A

Eu ² t

I2t

Valor para um ciclo de corrente de surto

880

A ² S

P _GM

Potência de pico dissipada no gate

10

W

P _{G AV}

Dissipação Média de Potência no Portão

1

W

Eu _GM

Corrente Máxima do Portão

8

A

V _GM

Tensão Máxima do Portão

10

V

di/dt

Taxa Crítica de Subida da Corrente de Estado Ligado

IG=100mA,Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/ μS

50

A/ S

Tj

Temperatura de Junção de Operação

-25 +125

℃

T _stg

Temperatura de Armazenamento

-40 +125

℃

V _ISO

Tensão de Ruptura de Isolamento R.M.S.

A.C. 1 minuto

2500

V

Torque de Montagem M4

Valor Recomendado 1.0 1.4 uff08 10 14 ")

14

kgf.CM

Símbolo

Item

Classificações

Unidade

TG 40 C60

TG 40 C80

TG 40 C1 0 0

TG 40 C12

V

V _DRM

Tensão de Pico Repetitiva de Estado Desligado

6 00

800

1000

1200

V

Símbolo

Item

Condições

Classificações

Unidade

Eu _DRM

Corrente de Pico Repetitiva de Estado Desligado, máx

VD=VDRM, Monofásico, meia onda, Tj=125°C

5

mA

V _TM

Tensão Máxima de Estado de Condução, máx

Corrente de Estado de Condução, máx Corrente de Estado de Condução √ 2X IT (RMS), Medição Instantânea

1. 55

V

Eu _GT1 +

1

Corrente de Disparo do Gate, máx

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

mA

Eu _GT1 -

2

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

mA

Eu _GT3 +

3

-

mA

Eu _GT3 +

4

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

mA

V _GT1+

1

Tensão de Disparo do Gate, máx

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V

V _GT1-

2

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V

V _GT3+

3

-

V

V _GT3-

4

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V _GD

Tensão de Porta Não-Disparadora, mín.

Tj =25℃, VD=1/2VRRM

0.2

V

tgt

Tempo de Ligação, máx.

IT=(RMS),IG=100mA,VD=1/2VDRM,Tj=25℃,dIG/dt=1A/ μ S

10

V

dv/dt

Taxa Crítica de Subida da Tensão de Estado Ligado, mín.

Tj=25℃,VD=2/3VDRM Onda exponencial.

500

V/ μ S

(dv/dt) c

Taxa crítica de aumento da tensão de estado desligado na comutação, mín.

Tj=25℃,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/ μ S

5

V/ μ S

Eu _H

Corrente de retenção, típ.

Tj =25℃

60

mA

R _th(j-c)

Impedância Térmica, máx

Junção ao caso

0.9

℃/W