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YZPST-BTA25-600BW TG25C60
YZPST-TG25..SERIES
YZPST-BTA25-600BW TG25C60
TRIAC (ISOLATED TYPE)
TG25C/E/D são triacs moldados isolados adequados para uma ampla gama de aplicações, como copiadora, forno de micro-ondas, chave de estado sólido,
controle de motor, controle de luz e controle de aquecedor.
IT AV 25A
Alta capacidade de surto 400A
Montagem isolada AC2500V
Terminais de aba
YZPST-TG25..SÉRIES
YZPST-BTA25-600BW TG25C60
TRIAC (TIPO ISOLADO)
TG25C/E/D são triacs moldados isolados adequados para uma ampla gama de aplicações, como copiadora, forno de micro-ondas, chave de estado sólido,
controle de motor, controle de luz e controle de aquecedor.
IT AV 25A
Alta capacidade de surto 400A
Montagem isolada AC2500V
Terminais de aba
Máximo Classificações
|
Símbolo |
Item |
Condições |
Classificações |
Unidade |
|
IT RMS |
Corrente R.M.S. no Estado Ativo |
Tc |
25 |
A |
|
ITSM |
Corrente de Estado de Surto |
Um ciclo, 50Hz/60Hz, pico, não repetitivo |
300/330 |
A |
|
I2t |
I2t |
Valor para um ciclo de corrente de surto |
450 |
A2S |
|
PGM |
Pico de Dissipação de Potência do Portão |
|
10 |
W |
|
PGAV |
Dissipação Média de Potência do Portão |
|
1 |
W |
|
IGM |
Corrente Máxima do Portão |
|
3 |
A |
|
VGM |
Tensão de Pico do Portão |
|
10 |
V |
|
di/dt |
Taxa Crítica de Subida da Corrente de Estado Ligado |
IG=100mA,Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/ μS |
50 |
A/ μS |
|
Tj |
Temperatura de Junção de Operação |
|
-25~+125 |
℃ |
|
Tstg |
Temperatura de Armazenamento |
|
-40~+125 |
℃ |
|
VISO |
Tensão de Ruptura de Isolamento R.M.S. |
A.C. 1 minuto |
2500 |
V |
|
|
Torque de Montagem M4 |
Valor recomendado 1.0 uff5e 1.4 uff08 10 uff5e 14 uff09 |
14 |
kgf.CM |
Máximo
Classificações
Tj=25 a menos que especificado de outra forma
| Símbolo | Item | Classificações | Unidade | |||
| TG 25C60 | TG 25C80 | TG 25C100 | TG 25C12 | V | ||
| V DRM | Repetitivo Pico de Estado Desligado Voltagem | 400 | 800 | 1000 | 1200 | V |
Características Elétricas stics
|
Símbolo |
Item |
Condições |
Classificações |
Unidade |
|
|
IDRM |
Corrente Repetitiva Máxima de Estado Desligado Corrente Máxima Repetitiva de Pico Desligado, máx |
VD=VDRM, Monofásico, meia onda, Tj=125℃ |
5 |
mA |
|
|
VTM |
Tensão Máxima de Estado de Condução, máx |
Corrente de Estado de Condução Corrente de Estado de Condução √2X IT (RMS), Medição instantânea |
1.4 |
V |
|
|
IGT1 + |
1 |
Corrente de Disparo do Gate, máx |
Tj = 25 ℃ , IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
IGT1 - |
2 |
Tj = 25 ℃ , IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
|
Eu GT3 + |
3 |
|
- |
mA |
|
|
Eu GT3 + |
4 |
Tj = 25 ℃ , IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
|
V GT1 + |
1 |
Tensão de Disparo do Gate, máx |
Tj = 25 ℃ , IT=1A, VD=6V |
3 |
V |
|
V GT1- |
2 |
Tj = 25 ℃ , IT=1A, VD=6V |
3 |
V |
|
|
V GT3+ |
3 |
|
- |
V |
|
|
V GT3- |
4 |
Tj = 25 ℃ , IT=1A, VD=6V |
3 |
|
|
|
VGD |
Tensão de Gate Não-Disparada, mín |
Tj = 25 ℃ , VD= 1/2VRRM |
0.2 |
V |
|
|
tgt |
Tempo de Ativação, máx. |
IT=(RMS),IG=100mA,VD=1/2VDR M,Tj=25℃,dIG/dt=1A/μS |
10 |
V |
|
|
dv/dt |
Taxa Crítica de Subida no Estado de Condução Tensão, mín. |
Tj=25 ℃ ,VD=2/3VDRM Onda exponencial. |
20 |
V/ μ S |
|
|
(dv/dt) c |
Taxa crítica de subida do estado desligado Tensão na comutação, mín. |
Tj=25 ℃ ,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/ μ S |
5 |
V/ μ S |
|
|
IH |
Corrente de Retenção, típ. |
Tj = 25 ℃ |
30 |
mA |
|
|
Rth(j-c) |
Impedância Térmica, máx |
Junção ao case |
1.5 |
℃/W |
|
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