VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Faixa de temperatura de junção de armazenamento

Tstg

-40 ~150

"C"

Faixa de temperatura de junção de operação

Tj

-40~125

"C"

Tensão de pico repetitiva de estado desligado (T =25°C)

V DRM

1400

V

Tensão reversa de pico repetitiva (T =25°C)

V RRM

1400

V

Tensão de pico de surto não repetitivo

V DSM

V _DRM +100

V

Tensão reversa de pico não repetitivo

V RSM

V _RRM +100

V

Corrente RMS no estado ligado

I T(RMS)

1.25

A

Corrente de pico no estado ligado não repetitivo

(180 \ ângulo de condução, F=50Hz)

I TSM

20

A

I 2 valor de tempo para fusão (tp=10ms)

I 2 t

2.0

A 2 S

Taxa crítica de aumento da corrente de estado ligado

(I =2 u00d7 IGT , tr u2264 100 ns )

d i /dt

5 0

A/ S

Corrente de pico do portão

I GM

1.0

A

Dissipação média de potência do portão

P G(AV)

0.1

W

Máximo d temperatura do dispositivo para

fins de soldagem ( para 10 segundos m máximo )

T _L

260

"C"

nível de ESD

HBM

Classe 3 (4000-16000V)

Nível de sensibilidade à umidade

MSL

Três níveis

(30 "C" ,60%RH,168h)

Resistências térmicas

Símbolo

Parâmetro

Valor

Unidade

Rth(j-a)

junção ao ambiente (DC)

60

℃/W

Rth(j-t)

Junção para aba (DC)

25

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T=25℃, salvo indicação em contrário)

Símbolo

Condição de teste

Valor

Unidade

MÍN.

TÍP.

MÁX. .

I GT

V =12V R =140Ω

20

50

100

µ A

V GT

-

0.8

1.0

V

V GD

V _D =V _DRM Tj=125℃ R=1KΩ

0.2

V

I _L

I _G =1.2I _GT

-

-

6

mA

I _H

IT=50mA

-

-

5

mA

dV/dt

VD=600V ,RGK=1KΩ, Tj=110℃

100

-

-

V/μs

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Símbolo

Parâmetro

Valor( MÁX. . )

Unidade

V TM

ITM =2.5A tp=380μs

Tj =25℃

1. 5

V

I DRM

V D =V DRM V R =V RRM

Tj =25℃

5

μA

I RRM

Tj =125℃

0.5

mA