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YZPST-D100H065AT1S3
Tecnologia de Parada de Campo de Trincheira IGBT
YZPST-D100H065AT1S3
Recursos
650V, 100A
VCE(sat)(typ.) =1.75V@VGE=15V, IC=100A
Temperatura Máxima da Junção 175
Chumbo Livre Revestimento; Compatível com RoHS
Aplicações
Conversores Solares
Fonte de Alimentação Ininterrupta
Conversores de Soldagem
Conversores de Frequência de Comutação de Médio a Alto Alcance
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Trincheira Tecnologia Field-Stop IGBT
YZPST-D100H065AT1S3
Características
650V, 100A
VCE(sat)(typ.) =1.75V@VGE=15V, IC=100A
Temperatura Máxima de Junção 175
Chumbo sem chumbo; Revestimento compatível com RoHS
Aplicações
Conversores Solares
Fonte de Alimentação Ininterrupta
Conversores de Soldagem
Conversores de Frequência de Comutação de Médio a Alto Alcance
Key Performance e P ackage Parâmetros
|
Códigos de Pedido |
V CE |
I C |
V CEsat , T vj =25 |
T vjmax |
Marking |
Package |
|
D100H065AT1S3 |
650V |
100A |
1.75V |
175°C |
D100H65AT1 |
TO247-3L |
Máximo Absoluto Classificações
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| VCES | Tensão Coletor-Emissor | 650 | V |
| VGES | Tensão Porta-Emissor | ±20 | V |
| IC | Corrente Contínua do Coletor (TC=25 °C) | 125 | A |
| Corrente Contínua do Coletor (TC=100 °C) | 100 | A | |
| ICM | Corrente do Coletor Pulsada (Nota 1) | 200 | A |
| Corrente Direta do Diodo (TC=25 °C) | 125 | A | |
| IF | Corrente Direta do Diodo (TC=100 ℃) | 100 | A |
| Potência Máxima Dissipada (TC=25 ℃) | 385 | W | |
| PD | Potência Máxima Dissipada (TC=100 ℃) | 192 | W |
| TJ | Faixa de Temperatura de Operação da Junção | -40 a 175 | ℃ |
| TSTG | Faixa de Temperatura de Armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
Características Elétricas (Tc=25 a menos que outro indicado.)
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVCES | Coletor-emissor | VGE=0V, IC=200uA | 650 | V | ||
| Tensão de ruptura | --- | --- | ||||
| ICES | Corrente de fuga coletor-emissor | VCE=650V, VGE=0V | 1 | mA | ||
| --- | --- | |||||
| Corrente de fuga do gate, direta | VGE=20V, VCE=0V | 600 | nA | |||
| --- | --- | |||||
| IGES | Corrente de Fuga do Portão, Reversa | VGE=-20V, VCE=0V | 600 | nA | ||
| --- | --- | |||||
| VGE(th) | Tensão de Limiar do Portão | VGE=VCE, IC=750uA | 4.2 | --- | 6 | V |
| VCE(sat) | Coletor-emissor | VGE=15V, IC=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.75 | 2.2 | V |
| Tensão de saturação | VGE=15V, IC=100A, Tj=125 ℃ | --- | 2.05 | --- | V | |
| td(on) | Tempo de atraso de ligar | --- | 35 | --- | ns | |
| tr | Tempo de Subida Ligado | VCC=400V | --- | 155 | --- | ns |
| td(off) | Tempo de Atraso Desligado | VGE=115V | --- | 188 | --- | ns |
| tf | Desligamento do Tempo de Queda | IC=100A | --- | 69 | --- | ns |
| Eon | Perda de Comutação ao Ligar | RG=8 | --- | 4.35 | --- | mJ |
| Eoff | Perda de Comutação ao Desligar | Carga Indutiva | --- | 1.11 | --- | mJ |
| Ets | Perda Total de Comutação | TC=25 ℃ | --- | 5.46 | --- | mJ |
| Cies | Capacitância de Entrada | VCE=25V | --- | 7435 | --- | pF |
| Coes | Capacitância de Saída | VGE=0V | --- | 237 | --- | pF |
| Cres | Transferência Reversa | f =1MHz | 128 | pF | ||
| Capacitância | --- | --- |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade |
| IF=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.65 | 2.2 | V | ||
| VF | Tensão Direta do Diodo | IF=100A, Tj=150 ℃ | --- | 1.4 | --- | V |
| trr | Tempo de Recuperação Reversa do Diodo | 201 | ns | |||
| VR=400V | --- | --- | ||||
| IF=100A | ||||||
| Irr | Pico de Reversão do Diodo | dIF/dt=200A/us | 19 | A | ||
| Corrente de Recuperação | TC=25℃ | --- | --- | |||
| Qrr | Carga de Recuperação Reversa do Diodo | 2.45 | uC | |||
| --- | --- |
Note1 Classificação repetitiva, largura de pulso limitada pela temperatura máxima da junção
Informações sobre o pacote
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