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YZPST-G100HF120D1
Características:
1200V100A, VCE(sat)(typ.)=3.0V Design de baixa indutância
Menores perdas e maior energia
Velocidade de comutação ultra rápida
Excelente resistência a curto-circuito
Aplicações Gerais:
Inversor Auxiliar
Aquecimento e Soldagem por Indução
Sistemas UPS
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Módulo IGBT de 1200V 100A P/N: YZPST-G100HF120D1
Características:
1200V100A, VCE(sat)(typ.)=3.0V Design de baixa indutância
Menores perdas e maior energia
Velocidade de comutação ultra rápida
Excelente resistência a curto-circuito
Aplicações Gerais:
Inversor Auxiliar
Aquecimento Indutivo e Soldagem
Sistemas UPS
Classificações Máximas Absolutas do IGBT
| VCES | Tensão Coletor-Emissor | 1200 | V | |
| VGES | Tensão Contínua Porta-Emissor | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Corrente Contínua do Coletor | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Corrente de Coletor de Pulso | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Dissipação Máxima de Potência (IGBT) | TC = 25°C, | 430 | W |
| tsc | > 10 | µs | ||
| Tempo de Suportar Curto-Circuito | ||||
| Temperatura Máxima da Junção do IGBT | 150 | °C | ||
| TJ | ||||
| TJOP | ||||
| Faixa de Temperatura Máxima de Junção em Operação | -40 a +150 | °C | ||
| Tstg | Faixa de Temperatura de Armazenamento | -40 a +125 | °C | |
| VRRM | Tensão Reversa Repetitiva de Pico Preliminar | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Corrente Contínua Direta do Diodo | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Corrente Máxima Direta do Diodo | 200 | A | |
Classificações Máximas Absolutas do Diodo de Freewheeling
| VRRM | Tensão Reversa de Pico Repetitiva - Dados Preliminares | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Corrente Contínua Direta do Diodo | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Corrente Máxima Direta do Diodo | 200 | A | |
Características de Comutação do IGBT
| td(on) | TJ = 25°C | 30 | |||||
| Tempo de Atraso de Ligação | ns | ||||||
| TJ = 125°C | 35 | ||||||
| TJ = 25°C | 50 | ||||||
| tr | Tempo de Subida de Ligação | TJ = 125°C | 55 | ns | |||
| TJ = 25°C | 380 | ||||||
| td(off) | Tempo de desligamento | TJ = 125°C | 390 | ns | |||
| TJ = 25°C | 110 | ||||||
| tf | Tempo de queda de desligamento | TJ = 125°C | 160 | ns | |||
| VCC = 600V | TJ = 25°C | 4.6 | |||||
| Eon | Perda de Comutação Ligada | IC = 100A | TJ = 125°C | 5.7 | mJ | ||
| RG = 5.6Ω | TJ = 25°C | 3.1 | |||||
| Eoff | Perda de Comutação Desligada | VGE = 15V | TJ = 125°C | 5.1 | mJ | ||
| Qg | Carga total do portão | Carga indutiva | TJ = 25°C | 870 | nC | ||
| Rgint | Resistor de porta integrado | f = 1M; | TJ = 25°C | 1.9 | Ω | ||
| Vpp = 1V | |||||||
| Cies | Capacitância de Entrada | TJ = 25°C | 8 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Capacitância de Saída | VGE = 0V | TJ = 25°C | 1,35 | nF | ||
| Cres | Reverse Transfer | f = 1MHz | TJ = 25°C | 0,81 | |||
| Capacitância | |||||||
| RθJC | Resistência Térmica, Junção-ao-Caso (IGBT) | 0,29 | 0C/W | ||||
Pacote Dimensão
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