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YZPST-G100HF65D1
650V 100A Módulo IGBT YZPST-G100HF65D1
Recursos:
650V100A, VCE(sat)(typ.)=1.80V
Design de baixa indutância
Perdas mais baixas e maior energia
Tecnologia Field Stop IGBT
Excelente resistência a curto-circuito
Aplicações Gerais:
Inversor Auxiliar
Aquecimento e Soldagem por Indução
Aplicações Solares
Sistemas UPS
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Módulo IGBT 650V 100A YZPST-G100HF65D1
Características:
650V100A, VCE(sat)(typ.)=1.80V
Design de baixa indutância
Menores perdas e maior energia
Tecnologia Field Stop IGBT
Excelente resistência a curto-circuito
Aplicações Gerais:
Inversor Auxiliar
Aquecimento e Soldagem por Indução
Aplicações Solares
Sistemas UPS
Classificações Máximas Absolutas do IGBT
| VCES | Tensão Coletor-Emissor | 650 | V | |
| VGES | Tensão Contínua Porta-Emissor | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Corrente Contínua do Coletor | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Corrente de Pulso do Coletor | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Potência Máxima de Dissipação (IGBT) | TC = 25°C, | 390 | W |
| TJ = 150°C | ||||
| tsc | Tempo de Suporte a Curto Circuito | > 10 | µs | |
| TJ | Temperatura Máxima da Junção IGBT | 150 | °C | |
| TJOP | Faixa de Temperatura Máxima de Operação da Junção | -40 a +150 | °C | |
| Tstg | Faixa de Temperatura de Armazenamento | -40 a +125 | °C | |
Absoluto Máximo Classificações de Grátis roda Díodo
| VRRM | Tensão de Reversa Repetitiva Máxima de Pico Dados Preliminares | 650 | V | |
| Corrente Contínua Direta do Díodo | TC = 25°C | 200 | ||
| IF | Corrente Contínua Direta do Díodo | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Corrente Máxima Direta do Díodo | 200 | A | |
Elétrico Características de IGBT em T J = 25°C (A menos que especificado de outra forma)
| Parâmetro | Condições de teste | Mín | Tip | Máx | Unidade | ||
| BVCES | Tensão de ruptura coletor-emissor | VGE = 0V, IC = 1mA | 650 | V | |||
| ICES | Coletor para emissor | VGE = 0V, VCE = VCES | 1 | mA | |||
| Corrente de Fuga | |||||||
| IGES | Corrente de Fuga do Porta para Emissor | VGE = ±30V, VCE = 0V | 200 | nA | |||
| VGE(th) | Tensão de Limiar do Porta | IC = 1mA, VCE = VGE | 4.5 | 5.5 | V | ||
| TJ = 25°C | 1.8 | 2 | |||||
| VCE(sat) | Collector to Emitter Saturation Voltage (Module Level) | IC = 100A, VGE = 15V | TJ = 125°C | 2 | V | ||
Características de Comutação do IGBT
| td(on) | Tempo de Atraso de Ligação | TJ = 25°C | 60 | ns | |||
| tr | Tempo de Subida de Ligação | TJ = 25°C | 55 | ns | |||
| td(off) | Tempo de Atraso de Desligação | VCC = 400V | TJ = 25°C | 210 | ns | ||
| tf | Tempo de queda de desligamento | IC = 100A | TJ = 25°C | 65 | ns | ||
| Eon | Perda de comutação de ligar | RG = 10Ω | TJ = 25°C | 1.2 | mJ | ||
| Eoff | Perda de Comutação Desligada | VGE = ±15V | TJ = 25°C | 1 | mJ | ||
| Qg | Carga Total do Portão | Carga Indutiva | TJ = 25°C | 500 | nC | ||
| Rgint | Resistor de porta integrado | f = 1M; | TJ = 25°C | 6.9 | Ω | ||
| Vpp = 1V | |||||||
| Cies | Capacitância de entrada | TJ = 25°C | 3.9 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Capacitância de saída | VGE = 0V | TJ = 25°C | 0.35 | nF | ||
| Cres | Transferência reversa | f = 1MHz | TJ = 25°C | 0.25 | |||
| Capacitância | |||||||
| RθJC | Resistência Térmica, Junção-ao-Caso (IGBT) | 0.32 | °C/W | ||||
Características Elétricas e de Comutação de Freewheeling Tensão Direta do Diodo Díodo
| Tensão Direta do Diodo | TJ = 25°C | Tensão Direta do Diodo | |||||
| IF = 100A , | VGE = 0V | V | |||||
| VGE = 0V | TJ = 125°C | 1.2 | |||||
| trr | Diode Reverse Recovery Time | IF = 100A, | TJ = 25°C | 80 | ns | ||
| Irr | Diode Peak Reverse Recovery Current | di/dt = 550A/µs, Vrr = 400V, | TJ = 25°C | 30 | A | ||
| Qrr | Carga de Recuperação Reversa do Diodo | TJ = 25°C | 6.2 | uC | |||
| RθJC | Resistência Térmica, Junção-para-Carcaça (Diodo) | 0.75 | °C/W | ||||
Características do Módulo
|
Parâmetro |
Mín. |
Típ. |
Máx. |
Unidade |
|
|
Viso |
Isolamento de Tensão (Todos os Terminais Curto-Circuitados),f = 50Hz, 1 minuto |
2500 |
|
|
V |
|
RθCS |
Caixa-Para-Dissipador (Graxa Condutiva Aplicada) |
|
0.1 |
|
°C/W |
|
M |
Terminais de Alimentação Parafuso: M5 |
3.0 |
|
5.0 |
Nºm |
|
M |
Parafuso de montagem: M6 |
4.0 |
|
6.0 |
Nºm |
|
G |
Peso |
|
160 |
|
g |
Circuito interno:
Dimensão da embalagem
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