YZPST-G900WB120B6TC
Módulo IGBT 1200V 900A
P/N: YZPST-G900WB120B6TC
CARACTERÍSTICAS DO PRODUTO
CHIP IGBT (Trench+FS)
Baixa tensão de saturação e coeficiente de temperatura positivo
Comutação rápida e corrente de cauda curta
Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
Sensor de temperatura incluído
APLICAÇÕES
Controle de motor AC
Controle de movimento/servo
Inversor e fontes de alimentação
Fotovoltaico/Célula de combustível
Módulo IGBT de 1200V 900A
P/N: YZPST-G900WB120B6TC
PRODUTO CARACTERÍSTICAS
CHIP IGBT (Trench+FS)
Baixa tensão de saturação e coeficiente de temperatura positivo
Comutação rápida e corrente de cauda curta
Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave
Sensor de temperatura incluído
APLICAÇÕES
Controle de motor AC
Controle de movimento/servo
Inversor e fontes de alimentação
Fotovoltaico/Célula de combustível
IGBT-VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS T C =25°C C a menos que caso contrário especificado )
| Símbolo | Parâmetro/Condições de Teste | Valores | Unidade | |
| VCES | Tensão Coletor Emissor | TJ=25℃ | 1200 | V |
| VGES | Tensão do Emissor do Portão | ±20 | ||
| IC | Corrente Contínua do Coletor | TC=25℃, TJmax =175℃ | 880 | |
| TC=95℃, TJmax =175℃ | 900 | A | ||
| ICM | Corrente Coletor Repetitiva de Pico | tp=1ms | 1200 | |
| Ptot | Dissipação de Potência Por IGBT | TC=25℃, TJmax =175℃ | 3125 | W |
Diodo-CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS ( T C =25°C C a menos que caso contrário especificado )
| Símbolo | Parâmetro/Condições de Teste | Valores | Unidade | |
| VRRM | Tensão Reversa Repetitiva | TJ=25℃ | 1200 | V |
| SE(AV) | Corrente Média Direta | 900 | A | |
| IFRM | Corrente Repetitiva de Pico Direto | tp=1ms | 1200 | |
| I2t | TJ =150℃, t=10ms, VR=0V | 45 | kA2s | |
IGBT-inversor
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS ( T C =25°C C a menos que caso contrário especificado )
| Símbolo | Parâmetro/Condições de Teste | Mín. | Tip. | Máx. | Unidade | ||
| VGE(th) | Tensão de Limiar Emissor-Base | VCE=VGE , IC=24mA | 5 | 5.8 | 6.5 | ||
| Coletor Emissor | IC=900A, VGE=15V, TJ=25℃ | 1.9 | 2.3 | ||||
| VCE(sat) | Saturation Voltage | IC=900A, VGE=15V, TJ=125℃ | 2.2 | V | |||
| IC=900A, VGE=15V, TJ=150℃ | 2.25 | ||||||
| ICES | Corrente de Vazamento do Coletor | VCE=1200V, VGE=0V, TJ=25℃ | 1 | mA | |||
| VCE=1200V, VGE=0V, TJ=150℃ | 10 | ||||||
| IGES | Corrente de Vazamento do Gate | VCE=0V, VGE=±120V, TJ=25℃ | -400 | 400 | nA | ||
| RGint | Resistor de Porta Integrado | 0.7 | Ω | ||||
| Qg | Carga de Porta | VCE=900V, IC=900A, VGE=15V | 3.1 | μC | |||
| Cies | Capacitância de Entrada | VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz | 43.2 | nF | |||
| Cres | Capacitância de Transferência Reversa | 2.07 | nF | ||||
| td(on) | Ligar Tempo de Atraso | VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω, | TJ=25℃ | 100 | ns | ||
| VGE=±15V, | TJ=150℃ | 110 | ns | ||||
| tr | Tempo de Subida | Carga Indutiva | TJ=25℃ | 85 | ns | ||
| TJ=150℃ | 95 | ns | |||||
| td(off) | Tempo de Desligamento | VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω, | TJ=25℃ | 530 | ns | ||
| VGE=±15V, | TJ=150℃ | 580 | ns | ||||
| tf | Tempo de Queda | Carga Indutiva | TJ=25℃ | 65 | ns | ||
| TJ=150℃ | 215 | ns | |||||
| TJ=25℃ | 55 | mJ | |||||
| Eon | Ligar Energia | TJ=125℃ | 85 | mJ | |||
| VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω, | TJ=150℃ | 95 | mJ | ||||
| VGE=±15V, | TJ=25℃ | 45 | mJ | ||||
| Eoff | Desligar Energia | Carga Indutiva | TJ=125℃ | 58 | mJ | ||
| TJ=150℃ | 63 | mJ | |||||
| ISC | Corrente de Curto Circuito | tpsc≤10μs , VGE=15V | 2200 | A | |||
| TJ=150℃,VCC=800V | |||||||
| RthJC | Resistência Térmica Junção ao Case (Por IGBT) | 0.048 | K /W | ||||
Contorno do Pacote
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