YZPST-KP Series-KP55
descrição1
Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino
Características Elétricas
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Chip Phase Control Thyristor 1600v-55mm


Símbolo

Característica

Condições

Temperatura

Valor

1

VDRM

Tensão de pico repetitiva em estado desligado


-30°C£ Tj £125°C

1600

2

VDSM

Tensão de pico de estado desligado não repetitiva


-30°C£ Tj £125°C

1700

3

VRRM

Tensão reversa de pico repetitiva


-30°C£ Tj £125°C

1600

4

VRSM

Tensão reversa de pico não repetitiva


-30°C£ Tj £125°C

1700

5

IDRM

Corrente de estado desligado de pico repetitivo

V=VDRM

Tj = 125°C

≤ 70 mA

6

IRRM

Corrente reversa de pico repetitiva

V=VRRM

Tj = 125°C

≤ 70 mA

7

ITSM

Pico de corrente de surto (não repetitivo)

Sinewave,10ms sem tensão reversa

Tj = 125°C

36.0 kA

8

VTO

Tensão de limiar


Tj = 125°C

0.82V

9

Rt

Resistência à inclinação no estado ligado


Tj = 125°C

0.180 mohm

10

VT

Tensão de estado ligado

IT = 2500 A

Tj = 125°C

≤ 1.45V

11

VT

Tensão de estado ligado

IT = 3500 A

Tj = 125°C

≤ 1.65V

12

DI/DT

Taxa crítica de aumento da corrente de estado ligado, mín.


De 75% VDRM
até 1650 A, portão
10V 5ohm


Tj = 125°C

200 A / s

13

DV/DT

Taxa crítica de aumento da tensão de estado desligado, mín.


Aumento linear
VD = 70 % VDRM


Tj = 125°C

500 V /

14

IH

Corrente de retenção, típica


VD=5V,
circuito aberto do portão


Tj = 25°C

≤ 300 mA

15

IL

Corrente de retenção, típica


VD=5V,
Tp=30 5s


Tj = 25°C

≤ 700 m A

16

VGT

Tensão de disparo do portão

VD= 5V;

Tj = 25°C

≤ 3.0 V

17

IGT

Corrente de disparo do portão

VD= 5V;

Tj = 25°C

≤ 200 m A

18

VGD

Tensão mínima do portão não disparador.

VD= VDRM

Tj = 125°C

≥ 0.25 V

19

PGM

Pico de dissipação de potência do portão


Tj = 25°C

150W

20

VFGM

Tensão de pico do portão (para a frente)


Tj = 25°C

30V

21

IFGM

Corrente de pico do portão


Tj = 25°C

10 A

22

VRGM

Tensão de pico do portão (inversa)


Tj = 25°C

5V

Ф A

Diâmetro do chip

55 mm

Ф B

Contato do Emissor Externo diâmetro = arruela de molibdênio
external diameter

45~46mm

Ф C

Área de contato do emissor interno = arruela de molibdênio interna

8.5~8.6mm

D

Espessura do chip

2.4~2.7mm

E

Espessura máxima do revestimento de junção de borracha

0.2~0.4mm

NOTA:
Este esboço é para o elemento de fusão SCR de 55mm.

Junction have double Overcoats, the outside is Red.

Superfície do Cátodo Metal:10~15um Alumínio.

Superfície do ânodo Metal: molibdênio
Para obter mais informações sobre Chip, faça o download do arquivo PDF acima chamado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

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