Módulo ANTI-PARALELO SCR ASSEMBLY-KPX1000A-1600V

Características:

design difuso completo

altas capacidades de corriente

altas capacidades de corriente de sobretensión

altas taxas de voltagem

alto dv/dt

baixa corrente de porta dinâmica

baixa impedância térmica

tamanho compacto e peso pequeno

APLICAÇÃO

Acionamentos de Alta Potência

Controle de Motor CC

Fontes de Alimentação de Alta Tensão

Bloqueio - Estado de Desligado

V RRM (1)	V DRM (1)	V RSM (1)
1600	1600	1700

VRRM = Tensão reversa de pico repetitiva

VDRM = Tensão de estado desligado de pico repetitiva

VRSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Corrente reversa de pico repetitiva e corrente de estado desligado	I RRM / I DRM	10 A 100 A (3)
Taxa crítica de aumento de tensão	dV/dt (4)	10 00 V/ m seg

Condução - estado ligado

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Máx.	Típ.	Unidades	Condições
Máx. a valor médio da corrente de estado ligado	I T(AV)		1000		A	Sinewave,180 o condução,T c = 95 o C
R Condução - estado ligado valor de corrente no estado ligado MS	I TRMS M		1570		A	Valor nominal
Pico de uma sobretensão cPSTCle corrente (não repetitiva)	I TSM		- 30		k A k A	8,3 msec (60Hz), onda senoidal forma, 180 o condução, T j = 125 o C 10.0 msec (50Hz), onda senoidal- forma, 180 o condução, T j = 125 o C
I quadrado t	I 2 t		4500 x10 3		A 2 s	10 mseg
Tensão de limiar	V T(T0)		0,928		V
Resistência da inclinação	r T		0.189		mΩ
Corrente de retenção	I L		2000		mA	V D = 12 V; R L = 12 ohms
Corrente de retenção	I H		500		mA	V D = 12 V; I = 2.5 A
Pico de tensão no estado ligado	V TM		1.75		V	I TM = 3000 A (MAX); T j = 1 25 o C
Taxa crítica de aumento do estado ligado atual (5, 6)	di/dt		200		A/ m s	Comutação de V DRM 1000 V, não repetitivo
Taxa crítica de aumento do estado ligado atual (6)	di/dt		-		A/ m s	Comutação de V DRM 1000 V

Gating

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Máx.	Típ.	Unidades	Condições
Dissipação de potência de pico do gate	P GM		30		W
Dissipação média de potência do portão	P G(AV)		4		W
Corrente de pico do portão	I GM		-		A
Corrente do portão necessária para disparar todas as unidades	I GT		300		mA	V D = 10 V; I T =3A ;T j = +25 o C
Tensão de porta necessária para acionar todas as unidades	V GT		3		V	V D = 10 V; I T =3A ;T j = +25 o C
Tensão negativa de pico	V RG M		5		V

Para mais informações sobre YZPST-KPX1000A-1600V Por favor, faça o download do arquivo PDF acima chamado "Montagem do módulo SCR ANTI-PARALLEL -KPX1000A-1600V"