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YZPST-MS38N100
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
VDSS = 1000V
ID25 = 38A
RDS(on) ≤ 210mΩ
trr ≤ 300ns
Features
Pacote Padrão Internacional
Baixa Resistência Intrínseca do Portão
miniBLOC com Isolamento de Nitreto de Alumínio
Baixa Indutância do Pacote
Fast Intrinsic Rectifier
Baixo RDS(on) e QG
Advantages
Alta Densidade de Potência
Fácil de Montar
Economia de Espaço
Applications
Conversores DC-DC
Carregadores de Bateria
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação e Modo Ressonante
Controle de Motor AC
Aplicação de Comutação de Energia de Alta Velocidade
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MOSFET de potência
Modo de Aprimoramento de Canal N
Retificador Intrínseco Rápido
VDSS = 1000V
ID25 = 38A
RDS(on) ≤ 210m Ω
trr ≤ 300ns
Características
Embalagem Padrão Internacional
Baixa Resistência Intrínseca do Portão
miniBLOC com Isolamento de Nitreto de Alumínio
Baixa Indutância do Pacote
Retificador Intrínseco Rápido
Baixo RDS(on) e QG
Vantagens
Alta Densidade de Potência
Fácil de Montar
Economia de Espaço
Aplicações
Conversores DC-DC
Carregadores de Bateria
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação e Modo Ressonante
Controle de Motor AC
Aplicação de Comutação de Alta Velocidade de Energia
| Símbolo | Condições de Teste | Classificação Máxima | |
| VDSS | TJ = 25℃ a 150℃ | 1000 | V |
| VDGR | TJ = 25℃ to 150℃, RGS = 1MΩ | 1000 | V |
| VGSS | Contínuo | 土30 | V |
| VGSM | Transitório | 土40 | V |
| ID25 | TC = 25℃ | 38 | A |
| IDM | TC = 25℃, Largura de Pulso Limitada por TJM | 120 | A |
| I A | TC = 25℃ | 19 | A |
| EAS | TC = 25℃ | 2 | J |
| dv/dt | IS < IDM , VDD < VDSS , TJ < 150℃ | 20 | V/ns |
| PD | T = 25℃ | 1000 | W |
| TJ | -55 ... +150 | ℃ | |
| TJM | 150 | ℃ | |
| TSTG | -55 ... +150 | ℃ | |
| VISOL | 50/60 Hz, RMS, t = 1minute | 2500 | V~ |
| I ISOL £1mA, t = 1s | 3000 | V~ | |
| MD | Torque de Montagem para Placa Base | 1.5/13 1.3/11.5 | Nm/lb.in Nm/Ib.in |
| Torque de Conexão do Terminal | |||
| Peso | 30 | g |
Esboço SOT-227B (IXFN)
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