YZPST-MTC92-16
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YZPST-MTC92-16

Módulos de Tiristores Duplos 

TIPO: YZPST-MTC92-16

Características
 · Pacote padrão industrial
 · Placa de base eletricamente isolada
 · Transferência de calor através da placa de base de metal isolada de cerâmica de óxido de alumínio 
 · Chip soldado em cerâmica AL2O3 ligada diretamente a cobre 
 · Chip tiristor com porta central

Aplicações Típicas

  • Controle de motor CC
  • Partidas suaves de motor CA
  • Controle de temperatura
  • Dimmer de luz profissional
descrição1
Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino
"Introdução do Produto"

Módulos de Tiristor Duplo

TIPO: YZPST-MTC92-16

Características
· Pacote padrão industrial
· Placa de base isolada eletricamente
· Transferência de calor através da placa de base de metal isolada de cerâmica de óxido de alumínio
· Chip soldado em cerâmica AL2O3 ligada diretamente ao cobre
· Chip tiristor com porta central

Aplicações Típicas

  • Controle de motor CC
  • Arrancadores suaves para motores de corrente alternada
  • Controle de temperatura
  • Atenuação profissional de luz

V DRM /V RRM

1600/1600

V

V RSM

1700

V

Classificação Máxima

Símbolo

Condição

Classificações

Unidade

Eu T(AV)

sen. 180; T c =85°C

95

A

Eu TSM

T vj =25°C; 10 ms

2000

A

Eu 2 t

T vj =25°C; 8,3–10 ms

20

kA 2 S

(di/dt) cr

140

A/us

V iso

A.C. 1s / 1min.

3600/3000

V

T j

-40 ~ + 125

C

T stg

-40 ~ + 125

C

W

-

g

Características Elétricas

Símbolo

Condição

Classificações

Unidade

Eu DRM /I RRM

AtV DRM , T j =125°C

15

mA

V T

Corrente de Estado Ligado 300A, T j =25°C

1.63

V

V T(TO)

T j =125°C

0.9

V

t gd

T j =25°C

1

nós

t q

T j =125°C

100

nós

Eu GT /V GT

T j =25°C

150 / 3

mA/V

V GD

T j =125°C

0.25

V

(dv/dt) cr

T j =125°C

1000

V/us

Eu H

T j =25°C, typ. / max.

140/240

mA

Eu L

T j =25°C, typ. / max.

260/550

mA

R th(j-c)

Por Módulo

0.14

K/W

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