YZPST-PWA-150A06

YZPST-PWA-150A06

Módulos de Tiristor   TIPO:YZPST-PWA150SA-4
Este produto é um módulo de tiristor adequado para aplicações de retificador de baixa tensão, 3 fases.

·IT(AV) 150A (cada dispositivo)
·Alta Corrente de Sobrepressão 3000 A (60Hz)
·Construção Fácil
·Não isolado. Base de montagem como terminal de ânodo comum
Aplicações
·Fonte de alimentação de soldagem
·Várias fontes de alimentação CC

descrição1
Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino
Introdução do Produto

Módulos de Tiristor TIPO: YZPST-PWA150SA-4

Este produto é um módulo de tiristor adequado para aplicações retificadoras de baixa tensão, trifásicas.

· IT(AV) 150A (cada dispositivo)
· Alta Corrente de Sobrepressão 3000 A (60Hz)
· Construção Fácil
· Não isolado. Base de montagem como terminal de ânodo comum
Aplicações
· Fonte de Alimentação para Soldagem
· Várias Fontes de Alimentação CC

Classificações Máximas

Símbolo

Condição

Classificações

Unidade

I T(AV)

Fase única, meia onda, condução de 180°, T C =116°C

150

A

I TRMS

Fase única, meia onda, condução de 180°, T C =116°C

230

A

I TSM

T j =150°C

3000

A

I 2 t

T j =150°C

38

kA 2 S

V DRM /V RRM

400/400

V

di/dt

não repetitivo

100

A/us

V iso

A.C.1minute

3000

V

T j

-30 ~ + 150

°C

T stg

-30 ~ + 125

°C

W

approximate

250

g

Características Elétricas

Símbolo

Condição

Classificações

Unidade

I DRM /I RRM

AtV DRM ,Monofásico,meia onda,T j =150°C

40

mA

V TM

Corrente de Estado Ativo 450A,T j =150°C

1,2

V

V T(TO)

T j =150°C

-

V

t gd

T j =25°C

-

us

t q

T j =150°C

-

us

I GT /V GT

T j =25°C

100 / 3,0

mA/V

V GD

V D =67%V DRM , T j =150°C

0.25

V

DV/DT

V D =67%V DRM

200

V/us

I H

T j =25°C

-

mA

I L

T j =25°C

-

mA

R th(j-c)

Por Módulo

0.15

0C/W

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