YZPST-SKM195GB066D

YZPST-SKM195GB066D

Módulo de potência IGBT Tipo: YZPST-SKM195GB066D

 

Aplicações

 Inversor para acionamento de motor

 Amplificador de acionamento de servo CC e CA

 UPS (Fontes de alimentação ininterruptas)

 Máquina de solda com comutação suave

Características

 Baixo Vce(sat) com tecnologia Trench Field-stop

 Vce(sat) com coeficiente de temperatura positivo

 Incluindo FWD anti-paralelo de recuperação rápida e suave

 Alta capacidade de curto-circuito (10us)

 Estrutura de módulo de baixa indutância

 Temperatura máxima de junção 175℃

descrição1
Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino
Introdução do Produto

Módulo de Potência IGBT Tipo: YZPST-SKM195GB066D

Aplicações

Inversor para acionamento de motor

Amplificador de acionamento de servo AC e DC

UPS (Fontes de Alimentação Ininterruptas)

Máquina de solda de comutação suave

Características

Baixo Vce(sat) com tecnologia Trench Field-stop

Vce(sat) com coeficiente de temperatura positivo

Incluindo FWD anti-paralelo de recuperação rápida e suave

Alta capacidade de curto-circuito (10us)

Estrutura de módulo de baixa indutância

Temperatura máxima de junção 175℃

Absoluto Máximo Classificações

Parâmetro

Símbolo

Condições

Valor

Unidade

Tensão Coletor-Emissor

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃

650

V

Corrente Contínua do Coletor

IC

Tc=100℃

200

A

Corrente Coletor de Pico

ICRM

tp=1ms

400

A

Tensão Porta-Emissor

VGES

Tvj=25℃

±20

V

Dissipação Total de Potência

(IGBT-inversor)

Ptot

Tc=25℃

Tvjmax=175℃

695

W

Características do IGBT

Parâmetro Valor Unidade
Símbolo Condições Mín. Típ. Máx.
Tensão de Limiar Porta-Emissor VGE(th) VGE=VCE, IC =3.2mA,Tvj=25℃ 5.1 5.8 6.3 V
VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25℃ 1 mA
Corrente de Corte Coletor-Emissor ICES VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125℃ 5 mA
Coletor-Emissor Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25℃ 1.45 1.95 V
Tensão de saturação VCE(sat) Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125℃ 1,65 V
Capacitância de Entrada Cies VCE=25V,VGE=0V, 12,3 nF
Capacitância de Transferência Reversa Cres f=1MHz, Tvj=25℃ 0,37 nF
Resistência Interna do Portão Rgint 1 Ω
Tempo de Atraso de Ligação td(on) 48 Ns
Tempo de Subida tr IC = 200 A 48 Ns
Tempo de desligamento td(desligado) VCE = 300 V 348 Ns
Tempo de queda tf VGE = ±15V 58 Ns
Dissipação de energia durante o tempo de ligamento Eon RG = 3.6Ω 2.32 mJ
Dissipação de Energia Durante o Tempo de Desligamento Eoff Tvj=25℃ 5.85 mJ
Tempo de Atraso de Ligação td(on) 48 Ns
Tempo de Subida tr IC = 200 A 48 Ns
Tempo de Atraso no Desligamento td(desligado) VCE = 300V 364 Ns
Tempo de queda tf VGE = ±15V 102 Ns
Dissipação de energia durante o tempo de ligamento Eon RG = 3.6Ω 3.08 mJ
Dissipação de Energia Durante o Tempo de Desligamento Eoff Tvj = 125℃ 7.92 mJ
SC Data Isc Tp ≥ 10us, VGE = 15V, Tvj = 150℃ , Vcc = 300V, VCEM ≥ 650V 1000 A

Características do Diodo

Parâmetro Valor Unidade
Símbolo Condições Mín. Típ. Máx.
Corrente Direta DC do Diodo SE Tc=100℃ 200 A
Corrente de Pico Direto do Diodo IFRM 400 A
IF=200A,Tvj=25℃ 1.55 1.95 V
Tensão Direta VF IF=200A,Tvj=125℃ 1.5 V
Parâmetro Valor Unidade
Símbolo Condições Mín. Típ. Máx.
Carga Recuperada Qrr 8.05 uC
IF = 200 A
VR = 300V
Pico Corrente de Recuperação Reversa Irr -diF/dt = 4200A/us 148 A
Energia de Recuperação Reversa Erec Tvj=25℃ 1.94 mJ
Carga Recuperada Qrr 16.9 uC
IF = 200 A
VR = 300V
Pico Corrente de Recuperação Reversa Irr -diF/dt = 4200A/us 186 A
Energia de Recuperação Reversa Erec Tvj = 125℃ 3.75 mJ

Características do Módulo TC=25°C, salvo indicação em contrário

Parâmetro Símbolo Condições Valor Unidade
Mín. Típ. Máx.
Tensão de Isolamento Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Temperatura Máxima de Junção Tjmax 150
Temperatura de Junção em Operação Tvj op -40 125
Temperatura de Armazenamento Tstg -40 125
por inversor IGBT 0,19 K/W
Junção ao Caso Rθjc por inversor de diodo 0,31 K/W
Caso para Dissipador Rθcs Graxa condutiva aplicada 0.085 K/W
Módulo EletrodosTorque Mt Recomendado(M5) 2.5 5 N·m
Módulo-para-SinkTorque Ms Recomendado(M6) 3 5 N·m
Peso do Módulo G 150 g

Pacote Dimensões

u200b

Para mais informações sobre YZPST-SKM195GB066D por favor, baixe o arquivo PDF acima chamado " YZPST-SKM195GB066D-R090 "

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