YZPST-SP50N80FX
800V N-Channel Power MOSFET
YZPST-SP50N80FX
CARACTERÍSTICAS
Comutação rápida
Testado 100% em avalanche
Capacidade aprimorada de dv/dt
APLICAÇÕES
Fonte de Alimentação de Modo de Comutação (SMPS)
Fonte de Alimentação Ininterrupta (UPS)
Correção do Fator de Potência (PFC)
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Informações de Pedido, Marcação e Embalagem do Dispositivo |
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Número do Pedido |
Pacote |
Marcação |
Embalagem |
|
SP50N80FX |
SOT-227 |
SP50N80FX |
Tubo |
|
Classificação Máxima Absoluta T C = 25ºC, salvo indicação em contrário |
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Parâmetro |
Símbolo |
Valor |
Unidade |
|
Tensão Dreno-Fonte (V GS = 0V) |
V DSS |
800 |
V |
|
Corrente de Dreno Contínua |
I D |
50 |
A |
|
Pulsado Dreno Corrente (nota1) |
I DM |
200 |
A |
|
Tensão Porta-Fonte |
V GSS |
\u00b1 30 |
V |
|
Pulso Único Avalanche Energia (note2) |
E AS |
4500 |
mJ |
|
Repetitive Avalanche Energia (nota1) |
E AR |
60 |
mJ |
|
Dissipação de Potência (T C = 25ºC) |
P D |
690 |
W |
|
Faixa de Temperatura de Junção e Armazenamento de Operação |
T J , T stg |
-55~+150 |
°C |
|
Cuidado: Tensões superiores às listadas nas dispositivo. |
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Resistência Térmica |
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Parâmetro |
Símbolo |
Valor |
Unidade |
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|
Resistência Térmica, Junção-ao-Caso |
R thJC |
0.18
|
°C/W |
||||||
|
Resistência Térmica, Junção-ao-Ambiente |
R thJA |
40 |
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Especificações T J = 25ºC, salvo indicação em contrário |
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|
Parâmetro |
Símbolo |
Condições de teste |
Valor |
Unidade |
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|
Mín. |
Típ. |
Máx. |
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|
Estático |
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|
Tensão de ruptura dreno-fonte |
V (BR)DSS |
V GS = 0V, I D = 250µA |
800 |
-- |
-- |
V |
|
Corrente de Dreno de Tensão do Portão Zero |
I DSS |
V DS =800, V GS = 0V, T J = 25ºC |
-- |
-- |
1.0 |
µA |
|
Vazamento entre Porta e Fonte |
I GSS |
V GS = \u00b1 30V |
-- |
-- |
\u00b1 100 |
nA |
|
Tensão de Limiar Porta-Fonte |
V GS(th) |
I DS = 250µA |
2.5 |
-- |
4.5 |
V |
|
Resistência Ligada Dreno-Fonte (Nota3) |
R DS(on) |
V GS = 10V, I D = 25A |
-- |
120 |
130 |
mΩ |
|
Dinâmico |
||||||
|
Capacitância de Entrada |
C iss |
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1.0MHz |
-- |
14600 |
-- |
pF |
|
Capacitância de Saída |
C oss |
-- |
1300 |
-- |
||
|
Capacitância de Transferência Reversa |
C rss |
-- |
66 |
-- |
||
|
Carga Total do Portão |
Q g |
V DD =400V, I D =50A, V GS = 10V |
-- |
360 |
-- |
nC |
|
Carga do Porta-Fonte |
Q gs |
-- |
80 |
-- |
||
|
Carga do Porta-Dreno |
Q gd |
-- |
120 |
-- |
||
|
Tempo de Atraso de Ligação |
t d(ligado) |
V DD = 400V, I D =50A, R G = 10 Ω |
-- |
110 |
-- |
ns |
|
Tempo de Subida de Ligação |
t r |
-- |
200 |
-- |
||
|
Tempo de Desligamento |
t d(desligamento) |
-- |
160 |
-- |
||
|
Tempo de Queda de Desligamento |
t f |
-- |
185 |
-- |
||
|
Características do Diodo de Corpo Fonte-Dreno |
||||||
|
Corrente Contínua do Diodo de Corpo |
I S |
T C = 25 aC |
-- |
-- |
50 |
A |
|
Corrente Direta do Diodo Pulsado |
I SM |
-- |
-- |
400 |
||
|
Tensão do Diodo de Corpo |
V SD |
T J = 25A, V SD = 25A, V GS = 0V |
-- |
-- |
1.4 |
V |
|
Tempo de Recuperação Reversa |
t rr |
V GS = 0V,I S = 50A, di F /dt =100A / μs |
-- |
520 |
-- |
ns |
|
Carga de Recuperação Reversa |
Q rr |
-- |
5.0 |
-- |
1. Avaliação Repetitiva: largura de pulso limitada pela temperatura máxima da junção |
|
Notas
2. V
= 50V, R DD = 25 Ω, T Inicial G = 25 °C J Teste de Pulso: largura de pulso ≤ 300μs, Ciclo de trabalho ≤ 1%
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