YZPST-SS8550
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YZPST-SS8550

Transistores de Encapsulamento Plástico TO-92
TRANSISTOR YZPST-SS8550 (PNP)

Características
 Dissipação de potência

              PC :1W  (Ta=25 C)

descrição1
Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino
Introdução do Produto

Transistores encapsulados em plástico TO-92

TRANSISTOR YZPST-SS8550 (PNP)

Características
Dissipação de energia

PC: 1W (Ta=25 C)

O RDER I NG I NF O RMAT I O N

P a rt Número

P a ckage

Pa cking Método

P ack Quantidade

SS8550

TO-92

Bulk

1000pcs/Bag

SS8550-TA

T0-92

Fita

2000pcs/Box

MAX 1 MUM RAT 1 NGs ( T a =25 unless caso contrário anotado )

symbo l

Parâmetro

Valu e

U nit

V CB O

Tensão Coletor-Base

-40

V

V CE O

Tensão Coletor-Emissor

-25

V

V EB O

Tensão Emissor-Base

-5

V

I C

Coletor Corrente Contínua

- 1.5

A

P D

Coletor Dissipação de Potência

1000

mW

R θ JA

Resistência Térmica de Junção para o Ambiente

125

℃ / W

T J , T stg

Operação de Junção e Faixa de Temperatura de Armazenamento

-55 - +150

T a =25 unless caso contrário especificado

Parâmetro símbolo Teste Min Typ Máx Unidade
condições
Coletor.base V(BR)CBO IC=- 100uA, IE=0 -40 V
falha
tensão
Coletor-emissor V(BR)CEO IC=-0. 1mA, IB=0 -25 V
tensão de ruptura
Emissor-base V(BR)EBO IE=- 100uA, IC=0 -5 V
falha
tensão
Coletor ICBO VCB=-40V, IE=0 -0. 1 uA
cut.off
corrente
Emitter ICEO VCE=-20V, IE=0 -0. 1 uA
cut.off
corrente
Emitter IEBO VEB=-5V, IC=0 -0. 1 uA
cut.off
corrente
DC hFE(1) VCE=- 1V, IC=- 100mA 85 400
corrente
ganho hFE(2) VCE=- 1V, IC=-800mA 40
Coletor-emissor VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA -0.5 V
saturação
tensão
Base.emissor VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA -1.2 V
tensão de saturação
Base.emissor VBE(on) VCE=- 1V, IC=- 10mA -1 V
tensão
fora Cob VCB=- 10V, IE=0mA,f=1MHZ 20 pF
capacitância
Transição fT VCE=- 10V, IC=-50mA,f=30MHZ 100 MHz
frequência

To.92 Dimensões do Pacote de Contorno

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