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YZPST-STW20NM60

Casa > Produtos > Dispositivo Semicondutor > Transistor > MOSFET > YZPST-STW20NM60

Produtos

Produto Quente

YZPST-A1237NC280

YZPST-R0929LC10 (TQ_10US)

YZPST-C712L

YZPST-T171-320-10

YZPST-FR1000AX50

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YZPST-STW20NM60

YZPST-STW20NM60.pdf

YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts 20200518.pdf

descrição1

Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino

DESCRIÇÃO

http://www.youtube.com/channel/UCZ3mV8GmGNcX4WcYEoWX-_g/featured

Recursos

Alta robustez

Baixo RDS(ON) (Typ 0.22Ω)@VGS=10V

Baixa Carga de Portão (Typ 84nC)

Capacidade aprimorada de dv/dt

Testado 100% Avalanche

Aplicação: UPS, Carga, PC Power, Inversor

Descrição Geral
Este MOSFET de potência é produzido com tecnologia avançada da Promising Chip.

Esta tecnologia permite que o MOSFET de potência tenha melhores características, incluindo tempo de comutação rápido, baixa resistência ligada, baixa carga de porta e especialmente excelentes características de avalanche.

Classificação máxima absoluta

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VDSS	Tensão de dreno para fonte	600	V
ID	Corrente de dreno contínua (@Tc=25℃)	20*	A
ID	Corrente de dreno contínua (@Tc=100℃)	12*	A
IDM	Corrente de dreno pulsada	78	A
VGS	Tensão do portão à fonte	±30	V
EAS	Energia de avalanche pulsada única	1284	mJ
ORELHA	Energia de avalanche pulsada repetitiva	97	mJ
dv/dt	Pico de recuperação do dv/dt do diodo	5	V/ns
PD	Potência total dissipada (@Tc=25℃)	42.3	W
PD	Fator de redução acima de 25°C	0.32	W/"C
TSTG,TJ	Temperatura de junção de operação e temperatura de armazenamento	-55~+150	℃
TL	Temperatura máxima do terminal para fins de soldagem, 1/8 do invólucro por 5 segundos	300	℃

*A corrente de dreno é limitada pela temperatura da junção Características térmicas:

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
Rthjc	Resistência térmica, Junção ao invólucro	3.1	℃/W
Rthja	Resistência térmica, Junção ao ambiente	49	℃/W

Características de classificação de diodos de fonte para dreno:

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Min.	Typ.	Máximo.	Unidade
É	Corrente de fonte contínua	Junção p-n reversa integral diodo no MOSFET			20	A
ISM	Corrente de fonte pulsada	Junção p-n reversa integral diodo no MOSFET			80	A
VSD	Queda de tensão direta do diodo	IS =20A VGS = 0V			1.3	V
trr	Tempo de recuperação reversa	IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us		494		ns
Qrr	Carga de recuperação reversa	IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us		7.3		uC

YZPST pode fornecer a seguinte lista de MOSFET

Rds(on) mΩ(typ) @Vgs=

MPN

Pacote

Tipo

VDS (V)

Vgs

Ids

Vgs(th)

(nC)

Qgs

Qgd

( Tipo ")

(V)

(A)

(W)

máximo (V)

10V 4.5V 2.5V (4.5

(nC)

2301

S OT 2 3

- 2 0 V

± 1 2

- 3 A

1 W

- 1 V

6 4 mΩ

8 9 mΩ

3.3

0.7

1.3

2302

S OT 2 3

2 0 V

± 1 0

2 .9 A

1 W

1 . 2 V

3 0 mΩ

3 7 m "Ω"

0.65

1.2

2305

S OT 2 3

- 2 0 V

± 1 2

- 4 . 8 A

1 . 7 W

- 1 V

4 5 mΩ

6 0 m "Ω"

7.8

1.2

1.6

3400

S OT 2 3

3 0 V

± 1 2

5 .8 A

1 . 4 W

1 . 4 V

2 8 mΩ

3 1 mΩ

4 5 mΩ

9.5

1.5

3401

S OT 2 3

- 3 0 V

± 2 0

- 4 . 2 A

1 . 2 W

- 1 . 3 V

5 0 mΩ

6 4 mΩ

9 5 mΩ

9.5

1 0N 0 3

S OP 8

3 0 V

± 2 0

1 0 A

2 . 5 W

3 V

7 .5 mΩ

5.5

3.5

2 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

2 0 A

6 0 W

3 V

2 8 mΩ

2.9

3.2

3 0P 0 3

S OP 8

3 0 V

± 2 0

- 3 0 A

6 0 W

3 V

5 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

5 0 A

6 0 W

3 V

5 .9 mΩ

4.5

6 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

6 0 A

4 6 .3 W

1 . 8 V

3 .3 mΩ

8 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

8 0 A

8 3 W

4 .8 mΩ

1 00 N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

1 0 0 A

1 10 W

3 V

4 m "Ω"

100

6 0N 0 4

T O- 2 5 2

4 0 V

± 2 0

6 0 A

6 5 W

1 . 9 V

8 .5 mΩ

1 2. 5 m "Ω"

4.5

6.4

4606

S OP - 8

N+P

3 N0 6

S OT - 22 3

6 0 V

± 2 0

3 A

1 . 7 W

1 . 4 V

105mΩ uff08 MAX ")

125mΩ uff08 MAX ")

1.3

1 5P 0 6

T O- 2 5 2

2 0N 0 6

T O- 2 5 2

6 0 V

± 2 0

2 0 A

4 0 W

3 V

3 7 mΩ

4.1

4.5

2 5P 0 6

T O- 2 5 2

- 6 0 V

± 2 0

- 2 5 A

9 0 W

- 3 . 5 V

4 5 mΩ

9.5

10.5

3 0N 0 6

T O- 2 20 / F

6 0 V

± 2 0

3 0 A

1 20 W

4 V

1 9 mΩ

9.6

10.5

5 0N 0 6

T O- 2 5 2

6 0 V

± 2 0

5 0 A

1 20 W

4 V

1 9 mΩ

9.6

10.5

1 10 N 0 6

T O- 2 20 / F

6 0 V

± 2 0

1 1 0 A

1 20 W

2 V

5 .2 mΩ

113

G 10 0 2

T O- 9 2

1 00 V

± 2 0

2 A

1 . 1 W

2 . 5 V

1 8 5 m "Ω"

5.2

0.75

1.4

5 N1 0

S OT 2 2 3

1 00 V

± 2 0

5 A

3 W

3 V

1 3 5 m "Ω"

3.2

4.7

1 4N 1 0

T O- 2 5 2

1 00 V

± 2 0

1 4 A

2 8 W

2 . 6 V

8 5 mΩ

1.9

2.8

3 0N 1 0

S OP 8

1 00 V

± 2 0

3 0 A

8 5 W

2 . 5 V

2 4 mΩ

1 1N 1 0

T O- 2 5 2

1 00 V

± 2 0

1 1 A

2 8 W

2 . 6 V

8 5 mΩ

1.9

2.8

1 2P 1 0

T O- 2 5 2

- 1 0 0 V

± 2 0

- 1 2 A

4 0 W

- 3 V

1 7 0 m "Ω"

5 N2 0

T O- 2 5 2

2 00 V

± 2 0

5 A

3 0 W

2 . 5 V

5 2 0 m "Ω"

2.5

3.8

2 N6 0

T O- 2 52 / 25 1

6 00 V

± 3 0

2 A

4 5 W

4 V

5 "Ω"

1.6

4.3

2 N6 0

T O -

6 00 V

± 3 0

2 A

4 5 W

4 V

5 "Ω"

1.6

4.3

2 N6 5

T O- 2 5 2

6 50 V

± 3 0

2 A

4 5 W

4 V

5 "Ω"

1.6

4.3

4 N6 0

T O -

6 00 V

± 3 0

4 A

1 00 W

4 V

3 "Ω"

2.7

4 N6 0

T O- 2 5 2

6 00 V

± 3 0

4 A

3 3 W

4 V

3 "Ω"

2.7

5 N6 0

T O- 2 2 0

6 00 V

± 3 0

5 A

1 00 W

4 V

2.5 "Ω"

7.2

6 N6 5

T O -

6 50 V

± 3 0

6 A

1 40 W

4 V

1.8 "Ω"

14.5

8 N6 0

T O -

6 00 V

± 3 0

8 A

1 40 W

4 V

1.0 "Ω"

6.8

1 2N 6 5

T O -

6 50 V

± 3 0

1 2 A

4 V

0.8 "Ω"

8.6

Eu RF 6 4 0

T O -

2 00 V

± 3 0

1 8 A

4 3 W

4 V

0 . 1 4 "Ω"

Eu RF 7 4 0

T O -

4 00 V

± 3 0

1 0. 5 A

4 5 .5 W

4 V

0 . 4 3 "Ω"

Eu RF 8 4 0

T O -

5 00 V

± 3 0

9 A

4 5 .5 W

4 V

0 . 6 5 "Ω"

Para obter mais informações sobre MOSFET, faça o download do arquivo PDF acima chamado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

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