YZPST-G15N65T
Casa  >  Produtos  >  Dispositivo Semicondutor  >  Transistor  >  IGBT  >  YZPST-G15N65T
descrição1
Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino
DESCRIÇÃO
http://www.youtube.com/channel/UCZ3mV8GmGNcX4WcYEoWX-_g/featured
Recursos

Temperatura Máxima de Junção 150°C
Alta tensão de ruptura de até 650V para maior confiabilidade
Classificado como Curto-Circuito
Tensão de saturação muito baixa:
VCE(SAT) = 1,65V (Typ.) @ IC = 15A
Formas de onda de desligamento suave da corrente

VCE

650

V

IC

15

A

VCE(SAT) IC=15A

1.65

V

Aplicações

Aplicações de comutação suave
Ar condicionado
Conversor de acionamento de motor

Produto

Pacote

Embalagem

YZPST-15N65T1

TO-220

Tubo

YZPST-15N65T1

TO-263

Tubo

YZPST-15N65T1

TO-220F

Tubo

Classificações Máximas uff08Tj= 25ºC a menos que especificado de outra formauff09

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Tensão de Ruptura Coletor-Emissor

VCE

650

V


Corrente do coletor DC, limitada por Tjmax
TC = 25°C
TC = 100°C



IC



30
15



A


Corrente direta do diodo, limitada por Tjmax
TC = 25°C
TC = 100°C



SE



30
15



A

Tensão contínua do emissor do portão

VGE

±20

V

Tensão transitória entre o portão e o emissor

VGE

±30

V


Desligue a área de operação segura VCE "> 650V,
Tj \[ menor ou igual a] 150°C


-

60

A

Corrente do coletor pulsada, VGE=15V, tp limitado por Tjmax

ICM

45

A

Tempo de Suportar Curto-Circuito, VGE= 15V, VCE≤ 400V

Tsc

5

μs

Dissipação de potência TO-220F, Tj=25℃

Ptot

27

W

TO-220,TO-263, Dissipação de potência , Tj=25℃

Ptot

105

W

Temperatura de junção de operação

Tj

-40...+150

°C

Temperatura de armazenamento

Ts

-55...+150

°C

Temperatura de soldagem, soldagem por onda a 1,6 mm (0,063 pol.) do invólucro por 10s


-


260


°C


Resistência Térmica
Parâmetro

Símbolo

TO-220,TO-263

TO-220F

Unidade

Resistência térmica IGBT, junção - caso

Rθ(j-c)

1.2

4.9

K/W

Resistência térmica do diodo, junção - invólucro

Rθ(j-c)

2.38

5.8

K/W

Resistência térmica, junção - ambiente

Rθ(j-a)

62.5

K/W

Características Elétricas do IGBT (Tj= 25℃ a menos que especificado de outra forma)

Símbolo

Parâmetro

Condições de teste

Min.

Typ.

Máximo.

Unidades

Características Estáticas (Testado em wafers)

BVCES


Quebra Coletor-Emissor
Voltagem


VGE = 0V, IC = 1mA

650

-

-

V

VCE(SAT)


Saturação do Coletor para Emissor
Voltagem


IC = 15A, VGE = 15V

-

1.65

1.95

V

VGE(th)

Tensão de Limiar G-E

VGE = VCE, IC = 250μA

4.1

5.0

5.7

V

ICES

Corrente de Desligamento do Coletor

VCE = 650V, VGE = 0V

-

-

25

μA

IGES

Corrente de Fuga G-E

VGE = 120V, VCE = 0V

-

-

±200

nA

gfs

Transcondutância

VCE=20V, IC=15A

-

10

-

S


Parâmetro

Símbolo

Condições

Min

Typ

Máximo

Unidade

Dinâmico

Capacitância de entrada

Cies


VCE = 25V, VGE = 0V,
f = 1MHz

-

990

-


pF

Capacitância de saída

Coes

-

56

-

Capacitância de transferência reversa

Cres

-

30

-

Carga do portão

QG

VCC = 480V, IC = 15A, VGE = 15V

-

92

-

nC

Corrente coletor de curto-circuito

IC(SC)

VGE=15V,tSC≥5us VCC=400V,
Tj, iniciar=25°C


-


98


-


A


Característica de Comutação, Carga Indutiva (Tj= 25℃ a menos que especificado de outra forma)
Parâmetro

Símbolo

Condições

Min.

Typ.

Máximo.

Unidade

Dinâmico

Tempo de Atraso de Ligação

td(on)




Tj=25°C VCC = 400V, IC = 15A,
VGE = 0/15V, Rg=12Ω


-

15

-

ns

Tempo de Subida

tr

-

25

-

ns

Tempo de Atraso para Desligamento

td(off)

-

60

-

ns

Tempo de Outono

tf

-

46

-

ns

Turn-on Energy

Eon

-

0.75

-

mJ

Desligar Energia

Eoff

-

0.1

-

mJ


Características Elétricas do DIODO (Tj= 25℃ a menos que especificado de outra forma)
Parâmetro

Símbolo

Condições

Min

Typ

Máximo

Unidade

Dinâmico

Tensão Direta do Diodo

VFM

IF = 15A

-

1.7

-

V

Tempo de Recuperação Reversa

Trr


IF= 15A VR = 300V,
di/dt =200A/ μs

-

50

-

ns

Corrente de Recuperação Reversa

Irr

-

4

-

A

Carga de Recuperação Reversa

Qrr

-

83

-

nC

Para obter mais informações sobre IGBT, faça o download do arquivo PDF acima chamado "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

ENTRE EM CONTATO