YZPST-G15T60FS
Características
600V,15A
V CE(sat)(typ.) =1.8V@V GE =15V,I C =15A
Alta velocidade troca
Sistema superior eficiência
Desligamento suave da corrente formas de onda
Quadrado RBSOA
Descrição geral
YZPST Os IGBTs de trincheira oferecem menores perdas e maior eficiência energética para aplicações como IH (aquecimento por indução), UPS, inversor geral e outras aplicações de comutação suave.
Valores Máximos Absolutos
|
Símbolo |
Parâmetro |
Valor |
Unidades |
|
V CES |
Tensão Coletor-Emissor |
600 |
V |
|
V GES |
Tensão Porta-Emissor |
+ 20 |
V |
|
Eu C |
Corrente Contínua do Coletor (T C =25 °C ) |
14 |
A |
|
Corrente Contínua do Coletor (T C =100 °C ) |
8 |
A |
|
|
Eu CM |
Corrente Coletor Pulsada (Nota 1) |
45 |
A |
|
Eu F |
Corrente Contínua Direta do Diodo ( T C =100 °C ) |
8 |
A |
|
Eu FM |
Corrente Máxima Direta do Diodo (Nota 1) |
45 |
A |
|
t sc |
Tempo de Suportar Curto-Circuito |
10 |
us |
|
P D |
Potência Máxima Dissipada ( T C =25 °C ) |
28 |
W |
|
Potência Máxima Dissipada ( T C =100 °C ) |
11 |
W |
|
|
T J |
Faixa de Temperatura de Junção de Operação |
-55 a +150 |
°C |
|
T STG |
Faixa de Temperatura de Armazenamento |
-55 a +150 |
°C |
Características Térmicas
|
Símbolo |
Parâmetro |
Máx. |
Unidades |
|
R th j-c |
Resistência Térmica, Junção ao invólucro para IGBT |
4.4 |
°C / W |
|
R th j-c |
Resistência Térmica, Junção ao invólucro para Diodo |
5.2 |
°C / W |
|
R th j-a |
Resistência Térmica, Junção ao Ambiente |
65 |
°C / W |
Para mais informações sobre YZPST-G15T60FS por favor, faça o download do arquivo PDF acima chamado " YZPST-G15T60FS "
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