YZPST-M1A025120L
YZPST-M1A025120L
N-Channel SiC Power MOSFET
Características
Alta Tensão de Bloqueio com Baixa Resistência de Condução
Comutação de Alta Velocidade com Baixa Capacitância
Fácil de Paralelizar e Simples de Acionar
Vantagens
Maior Eficiência do Sistema
Requisitos de Resfriamento Reduzidos
Densidade de Potência Aumentada
Frequência de Comutação do Sistema Aumentada
Aplicações
Fontes de Alimentação
Conversores DC/DC de Alta Tensão
Acionamentos de Motor
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação
Aplicações de Potência Pulsada
YZPST-M 1 A 025120 L
N - Canal SiC Potência MOSFET
Características
Alta Tensão de Bloqueio com Baixa Resistência de Condução
Comutação de Alta Velocidade com Baixa Capacitância
Fácil de Paralelizar e Simples de Acionar
Benefícios
Maior Eficiência do Sistema
Requisitos de Resfriamento Reduzidos
Maior Densidade de Potência
Aumento da Frequência de Comutação do Sistema
Aplicações
Fontes de Alimentação
Conversores DC/DC de Alta Tensão
Acionamentos de Motor
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação
Aplicações de Potência Pulsada
Classificações Máximas (TC=25℃, salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VDSmax | Tensão dreno-fonte | 1200 | V | VGS=0V,ID=100μA | |
| VGSmax | Tensão porta-fonte | -0.4 | V | Valores absolutos máximos | |
| VGSop | Tensão porta-fonte | -0.25 | V | Valores operacionais recomendados | |
| ID | Corrente de dreno contínua | 65 | A | VGS=20V, Tc=25C | |
| 43 | VGS=20V, Tc=100C | ||||
| ID (pulso) | Corrente de Dreno Pulsada | 200 | A | Largura de Pulso Limitada por TJmax | |
| PD | Dissipação de Potência | 370 | W | Tc=25C, TJ=150C | |
| TJ, TSTG | Operação de Junção e Armazenamento | -55 a +150 | C | ||
| Temperatura |
Características Elétricas (TC=25C a menos que especificado de outra forma)
| Símbolo | Parâmetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | Condições de teste | Nota |
| V(BR)DSS | Tensão de Ruptura Dreno-Fonte | 1200 | / | / | V | VGS=0V,ID=100μA | |
| VGS(th) | Tensão de Limiar do Portão | 1.9 | 2.4 | 4 | V | VDS=VGS,ID=15mA | Fig.11 |
| / | 1.7 | / | VDS=VGS,ID=15mA,TJ=150C | ||||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V,VGS=0V | |
| IGSS+ | Gate-Source Leakage Current | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V,VGS=25V | |
| IGSS- | Gate-Source Leakage Current | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V,VGS=-10V | |
| RDS(on) | Resistência de Estado Ligado Fonte-Dreno | / | 25 | 34 | mΩ | VGS=20V,ID=50A | Fig. |
| / | 43 | / | VGS=20V,ID=50A,TJ=150C | 4,5,6 | |||
| Ciss | InputCapacitance | / | 4200 | / | VGS=0V | Fig. | |
| Coss | OutputCapacitance | / | 250 | / | pF | VDS=1000V | 15,16 |
| Crss | Capacitância de Transferência Reversa | / | 16 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Energia Armazenada Coss | / | 126 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | Ligar-DesligarEnergia | / | 1.8 | / | J | VDS=800V,VGS=-5V/20VID=50A,RG(ext)=2.5Ω,L=412μH | |
| EOFF | Desligar-DesligarEnergia | / | 0.6 | / | |||
| td(on) | Tempo de Atraso para Ligar | / | 15 | / | |||
| tr | Tempo de Subida | / | 12 | / | ns | VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=50ARG(ext)=2.5Ω,RL=16Ω | |
| td(off) | Tempo de Desligamento | / | 34 | / | |||
| tf | Tempo de Descida | / | 7 | / | |||
| RG(int) | Resistência Interna do Portão | / | 2.1 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
| GS | Carga do Portão para a Fonte | / | 54 | / | VDS=800V | ||
| GD | Porta para Dreno de Carga | / | 29 | / | nC | VGS=-5V/20V | |
| G | Carga Total do Portão | / | 195 | / | ID=50A |
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