YZPST-S4A010120A
P/N:YZPST-S4A010120A Diodo Schottky de Carbeto de Silício SiC
Diodo Schottky de Carbeto de Silício
Características
Corrente de Recuperação Reversa Zero
Tensão de Recuperação Direta Zero
Coeficiente de Temperatura Positivo em VF
Comutação Independente da Temperatura
Temperatura de Junção de Operação de 175°C
Vantagens
Substituir Dispositivo Bipolar por Unipolar
Redução do Tamanho do Dissipador de Calor
Dispositivos Paralelos sem Fuga Térmica
Essencialmente Sem Perdas de Comutação
Aplicações
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação
Correção do Fator de Potência
Acionamento de Motor, Inversor PV, Estação de Energia Eólica
P / N : YZPST - S 4 A 01012 0 A SiC Schottky Diode
Silicon Carboneto Schottky Díodo
Características
Corrente de recuperação reversa zero
Tensão de recuperação direta zero
Coeficiente de temperatura positivo em VF
Comutação independente de temperatura
Temperatura de junção operacional de 175°C
Benefícios
Substituir Bipolar por Dispositivo Unipolar
Redução do Tamanho do Dissipador de Calor
Dispositivos Paralelos Sem Fuga Térmica
Essencialmente Sem Perdas de Comutação
Aplicação Aplicações
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação
Correção do Fator de Potência
Acionamento de Motor, Inversor PV, Estação de Energia Eólica
Máx imum Classificações
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VRRM | Tensão reversa repetitiva de pico | 1200 | V | TC = 25C | |
| VRSM | Pico de Tensão Reversa de Surto | 1200 | V | TC = 25C | |
| VR | Tensão de Bloqueio CC | 1200 | V | TC = 25C | |
| 30 | TC ≤ 25C | ||||
| IF | Corrente Direta | 14 | A | TC ≤ 135C | |
| 10 | TC ≤ 150C | ||||
| IFSM | Corrente de Sobre Tensão Não Repetitiva | 95 | A | TC = 25C, tp = 8.3ms, Meia Onda Senoidal | |
| Ptot | Dissipação de energia | 150 | W | TC = 25C | Fig.3 |
| TC | Temperatura máxima do invólucro | 150 | C | ||
| TJ, TSTG | Temperatura de operação da junção e temperatura de armazenamento | -55 a 175 | C | ||
| Torque de Montagem TO-220 | 1 | Nm | Parafuso M3 |
Elétrico Charac terísticas
| Símbolo | Parâmetro | Typ. | Max. | Unidade | Condições de teste | Nota |
| VF | Tensão Direta | 1,55 | 1,8 | V | IF = 10A, TJ = 25C | Fig.1 |
| 2,2 | 2,5 | IF = 10A, TJ = 175C | ||||
| Corrente Reversa | 2 | 20 | μA | VR = 1200V, TJ= 25C | Fig.2 | |
| IR | 10 | 200 | VR = 1200V, TJ= 175C | |||
| 650 | VR = 0V, TJ= 25C, f = 1MHz VR = 400V, TJ = 25C, f =1MHz VR = 800V, TJ = 25C, f =1MHz | |||||
| C | Capacitância Total | 49 | / | pF | Fig.5 | |
| 40 | ||||||
| Carga Capacitiva Total | / | nC | VR = 800V, IF = 10A | Fig.4 | ||
| C | 29 | di/dt = 200A/µs, TJ= 25C |
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