YZPST-SK70KQ08
Compatível com RoHS
PRODUTO CARACTERÍSTICA S
Design Compacto
Montagem com um parafuso
Transferência de calor e isolamento através de DBC
Chips de Tiristor com Passivação de Vidro
Baixa Corrente de Vazamento
APP LI CAT I ON S
Partidas Suaves
Controle de Temperatura
Controle de Luz
A BS O L U TE M A X I M U M R A T I NG S (T°C =25°C a menos que especificado de outra forma)
| Símbolo | P arâmetro | T este Condições | Va lores | U n i t |
| V RRM | Max imum Repetitive Reverse Voltage | T vj =125 ℃ | 800 | V |
| V DRM | Ma ximum repetitive peak estado de desligamento tensão | |||
| V RSM | Non - Repetitive Reverse Voltage | T vj =125 ℃ | V | |
| V DSM | No não repetitivo peak estado de desligamento tensão | 900 | ||
| I R R M | Ma ximum Repetitive Reverse Corrente | T vj =125 ℃ | 5 | m A |
| I D R M | Maxi mum repetitive peak estado de desligamento Corrente | |||
| I T (AV) | Mean O n-state Corrente | T C =85 ℃ | 55 | |
| I T(RMS ) | RMS Cu rrent | T C =85 ℃ , sin180 0 | 80 | A |
| I TSM | Non R repetitivo Surge Pico Em estado Corrente | 1 0ms, T j =25 ℃ | 1100 | |
| I 2 t | Para F usando | 1 0ms, T j =25 ℃ | 6050 | A 2 S |
| V T M | Pico on-state tensão | I TM =150A | 1.7 | V |
| dv/dt | crítico taxa de aumento de estado de desligamento tensão | V D =2/3V DRM Portão Aberto T j =125 ℃ | 1000 | V /us |
| I G T | corrente de disparo do gate t máx. | 80 | m A | |
| V GT | tensão de disparo do gate máx. | 1.5 | V | |
| I H | gate trigger corrente | 200 | m A | |
| I L | lat ching corrente | 500 | m A | |
| V iso | A C 50 H z RM S 1 m em | 2500 | V | |
| T J | Temperatura de Junção | - 40 para +125 | ℃ | |
| T ST G | St orage Temperatura Range | - 40 para +125 | ||
| R t hJC | Junction para Case Térmica Resistência (Por chip de tiristor ) | 0.7 | ℃ /W | |
| Torq ue | montagem força, Módulo para Dissipador | 2.5 | Nm | |
| Ts antigo | Temi nals,10s | 260 | ℃ | |
O esboços
Para mais informações sobre YZPST-SK70KQ08 por favor, faça o download do arquivo PDF acima chamado "YZPST-SK70KQ08"
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