YZPST-M2G0080120D
Recursos
Pacote otimizado com pino de fonte de driver separado
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência em condução
Comutação de alta velocidade com baixas capacitâncias
Diodo intrínseco rápido com baixa recuperação reversa (Qrr)
Fácil de paralelizar
Compatível com RoHS
Benefícios
Eficiência do sistema mais alta
Redução dos requisitos de resfriamento
Aumento da densidade de potência
Possibilitando frequências mais altas
Minimização de oscilação de porta
Redução da complexidade e custo do sistema
Aplicações
Fontes de alimentação de modo de comutação
Conversores DC/DC
Inversores solares
Carregadores de bateria
Acionamentos de motor
Pacote otimizado com pino de fonte de driver separado
Alta voltagem de bloqueio com baixa resistência em condução
Comutação de alta velocidade com baixas capacitâncias
Diodo intrínseco rápido com baixa recuperação reversa (Qrr)
Fácil de paralelizar
Compatível com RoHS
Benefícios
Eficiência do Sistema Maior
Reduzir requisitos de resfriamento
Aumento da densidade de potência
Possibilitando frequência mais alta
Minimizar o ringing do gate
Redução da complexidade e custo do sistema
Aplicações
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação
Conversores DC/DC
Inversores Solares
Carregadores de Bateria
Acionamentos de Motor
Classificações Máximas (Tc = 25 C a menos que especificado de outra forma )
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | Condições de Teste | Nota |
| f^DSmax | Tensão de Ruptura Dreno-Fonte | 1200 | V | =0 V, /d=100 A | |
| Id | Corrente de Dreno Contínua | 42 | A | 4s=20 V Tc=25 °C | Fig. 18 |
| Pd | Dissipação de Potência | 208 | W | *=25 °C | Fig. 19 |
| FgS,op | Recomendar Tensão de Fonte do Portão | -0.25 | V | ||
| J^Smax | Tensão Máxima do Portão para a Fonte | -0.4 | V | AC (f>lHz) | Nota 1 |
| Tj, Tstg | Faixa de Temperatura de Junção de Operação e Armazenamento | -55 to | "C | ||
| 175 | |||||
| 7l | Temperatura de Soldagem | 260 | "C |
Características Elétricas
| Símbolo | Parâmetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | Condições de Teste | Nota |
| Estático | |||||||
| BVds | Tensão de Ruptura Dreno-Fonte | 1200 | - | - | V | 4s=0 V, Zd=100 A | |
| A ) ss | Corrente de Dreno de Tensão do Portão Zero | "—" | 11 | 100 | 丁 s=1200 V Pgs=0 V | ||
| Igss | Vazamento Fonte-Dreno | "—" | 10 | 250 | nA | 4s=20 V | |
| FGS(th) | Tensão de Limiar Fonte-Dreno | 2 | "—" | 4 | V | Id=5 mA, | Fig. 11 |
| &DS(on) | Resistência de condução dreno-fonte | "—" | 78 | 100 | mQ | =20 V, Zd=20 A | Fig. 6 |
| Dinâmico | |||||||
| Ciss | Capacitância de Entrada | "—" | 1128 | PF | 4s=0 V, \ s=1000 V | Fig. 17 | |
| C^oss | Capacitância de Saída | "—" | 86 | f^l.OMHz, u74dc =25 mV | |||
| Crss | Capacitância de Transferência Reversa | "—" | 5 | ||||
| Eoss | Coss Stored Energy | - | 44 | J | Fig. 16 | ||
| Q s | Total Gate Charge | "—" | 52 | nC | moo V | Fig. 12 | |
| figs | Carga Porta-Fonte | - | 17 | \ =20 A | |||
| Qgd | Carga Porta-Dreno | - | 15 | Fgs=-5/+20 V | |||
| td(cn) | Turn-on Delay Time | "—" | 41 | ns | 4e39 s=800 V | ||
| tr | Turn-on Rise Time | - | 21 | Fgs=-5/+20 V | |||
| Tempo de Atraso Desligado | "—" | 48 | Id=20A | ||||
| tf | Tempo de Queda Desligado | "—" | 16 | Ro ( ext ) =2.5 Q | |||
| RG(int) | Resistência Interna do Portão | - | 4 | n | E.O MHz, Vac=25 mV | ||
Características do Diodo de Corpo, a Tj=25°C, salvo indicação em contrário
| Símbolo | Parâmetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | Condições de Teste | Nota |
| Is | Corrente Direta Contínua do Diodo | - | - | 42 | A | Nota 1 | |
| Tensão Direta do Diodo | - | 4 | - | V | Kjs=0 V, Zs=10 A | Fig. 8, | |
| 9,10 | |||||||
| trr | Tempo de Recuperação Reversa | - | 26 | - | ns | 1s=20 A, s=800 V | |
| 0r | Carga de Recuperação Reversa | - | 163 | - | nC | %s= u30fb 5 V | Nota 1 |
| Zrrm | Corrente de Recuperação Reversa de Pico | 12 | A | di/dt=2100 A/us |
Características Térmicas
| Símbolo | Parâmetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidade | Nota |
| Rbjc | Resistência Térmica de Junção para o Caso | / | 0.68 | / | 0c/w | Fig. 20 |
Esquemático do Circuito de Teste
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