65R72GF MOSFET de potência de canal N como substituto do STW48N60M2
MOSFET de potência N-canal
Tipo: YZPST-65R72GF
| RESUMO DO PRODUTO | |
| Vds (V) em Tj máx. | 700 |
| Rds(ofi ) máx. a 25°C (mQ) | Vgs=10V 72 |
| Q g max. (nC) | 130 |
| Qgs (nC) | 30 |
| Qgd (nC) | 34 |
| Configuration | single |
Características
Fast Body Diode MOSFET
|D=47A(Vgs=10V)
Ultra Baixa Carga de Porta
Capacidade aprimorada de dv/dt
Compatível com RoHS
Aplicações
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação (SMPS)Fontes de Alimentação para Servidores e Telecomunicações
Soldagem e Carregadores de Bateria
Solar (Inversores de PV)
Circuitos de Ponte AC/DC
| INFORMAÇÕES DE PEDIDO | |
| Dispositivo | YZPST-65R72GF |
| Pacote do Dispositivo | TO-247 |
| Marcação | 65R72GF |
| VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS (Tc=25 o C, a menos que indicado de outra forma) | |||
| Parâmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
| Dreno para Tensão de Fonte | Vdss | 650 | V |
| Corrente contínua de dreno (@Tc=25°C) | Id | 47¾ | A |
| Corrente contínua de dreno (@Tc=100°C) | 29¾ | A | |
| Corrente de dreno pulsada (2) | Idm | 138¾ | A |
| Tensão do Portão para a Fonte | Vgs | ±30 | V |
| Energia de Avalanche de Pulso Único (3) | Eas | 1500 | mJ |
| Robustez do dv/dt do MOSFET (@V DS =0~400V) | dv/dt | 25 | V/ns |
| Pico diodo Recuperação dv/dt | dv/dt | 15 | V/ns |
| Dissipação total de potência (@Tc=25°C) | Pd | 417 | W |
| Fator de redução acima de 25°C | 3.34 | w/ °C | |
| Temperatura de junção de operação e temperatura de armazenamento | Tstg, Tj | -55 a + 150 | °C |
| Temperatura máxima do terminal para fins de soldagem | Tl | 260 | °C |
Notas
1. A corrente de dreno é limitada pela temperatura máxima da junção.
2. Classificação repetitiva: largura de pulso limitada pela temperatura da junção.
3 L = 37mH, l AS = 9A, V DD = 50V, R G =25Q, Começando em Tj = 25°C
4. Eu SD < l D , di/dt = WOA/us, V DD < BV DSS , Começando em Tj =25°C
Para mais informações sobre YZPST-65R72GF por favor, faça o download do arquivo PDF acima chamado "YZPST-65R72GF"
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