YZPST-1A01K170K
Silicon Carbide Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode

V _DS = 1700 V

lDS@25°C = 5.0 A

Características

Capacitância de alta tensão
Alta Tensão de Bloqueio com Baixa Resistência de Condução
Comutação de Alta Velocidade com Baixas Capacitâncias
Fácil de Paralelizar e Simples de Acionar
Capacitância Ultra Baixa entre Dreno e Porta
Ruggedez Avalance

Benefícios

Maior Eficiência do Sistema
Requisitos de Resfriamento Reduzidos
Aumento da Confiabilidade do Sistema
Aumento da Frequência de Comutação do Sistema

Aplicações
Fontes de Alimentação Auxiliares
Fontes de Alimentação de Modo de Comutação

Classificações Máximas (Tc=25°C, salvo indicação em contrário)

Para mais informações sobre YZPST-1A01K170K por favor, faça o download do arquivo PDF acima chamado " YZPST-1A01K170K "