YZPST-FM3N150C
MOSFET N-Channel de 1500V
YZPST-FM3N150C
Descrição Geral
Este MOSFET de potência é produzido usando tecnologia planar avançada autoalinhada. Essa tecnologia avançada foi especialmente desenvolvida para minimizar a resistência em estado ativo, proporcionar desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia no modo de avalanche e comutação.
Esses dispositivos podem ser usados em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.
Características
3A, 1500V, RDS(on)typ. = 5Q@VGS = 10 V ld=1.5A
Baixa carga de porta (típica 9.3nC)
Baixa carga de porta (típica 2.4pf)
Comutação rápida
Testado 100% contra avalanche
Classificações Máximas Absolutas Tc = 25 C a menos que indicado de outra forma
| Símbolo | Parâmetro | JFFM3N150C | Unidades | |
| Vdss | Tensão de Dreno - Fonte | 1500 | V | |
| Id | Corrente de Dreno | Contínuo (Tc = 25 C ) | 1.8 | A |
| Contínuo ( Tc = 100 C ) | 1.2 | A | ||
| Idm | Corrente de Dreno - Pulsada ( Nota 1) | 12 | A | |
| Vgss | Tensão Porta-Fonte | ±30 | V | |
| EAS | Energia de Avalanche Pulsada Única ( Nota 2 ) | 225 | mJ | |
| dv/dt | Pico de Recuperação do dv/dt do Diodo ( Nota 3 ) | 5 | V/ns | |
| Pd | Dissipação de Potência (Tc = 25 C ) | 30 | W | |
| Tj,Tstg | Faixa de Temperatura de Operação e Armazenamento | -55 a +150 | °C | |
| Tl | Temperatura máxima do chumbo para fins de soldagem | 300 | °C | |
| 1/8 3.00 caixa de origem por 5 segundos | ||||
Características térmicas
| Símbolo | Parâmetro | JFFM3N150C | Unidades |
| Raic | Resistência Térmica, Junção-ao-Caso | 4.1 | °C/W |
| Rqja | Resistência Térmica, Junção-para-Ambiente | 62.5 | °C/W |
Características Elétricas tc=25 °c a menos que indicado de outra forma
| Símbolo | Parâmetro | Condições de Teste | Mín | Tip | Máximo | Unidades |
| Características Off | ||||||
| BVdss | Tensão de Ruptura Dreno - Fonte | Vgs = 0 V, Id =250 uA | 1500 | — | — | V |
| / BVdss/ | Coeficiente de Temperatura da Tensão de Ruptura | Id = 250 uA, Referenciado para | -- | 1.3 | -- | v/ |
| Tj 25 | 25 | |||||
| Corrente de Dreno com Tensão de Porta Zero | Vds = 1500 V, Vgs = 0 V | — | — | 25 | uA | |
| Idss | Vds = 1200 V, Tc = 125 C | -- | -- | 500 | uA | |
| Igssf | Corrente de Fuga Corpo-Porta, Direta | Vgs = 30 V, Vgs = 0 V | — | — | 100 | nA |
| Igssr | Corrente de Fuga Corpo-Porta, Reversa | Vgs = -30 V, Vgs = 0 V | — | — | -100 | nA |
| Características de Ligação | ||||||
| VGS(th) | Tensão de Limiar do Portão | Vds = Vgs, Id = 250 uA | 3 | — | 5 | V |
| RDS(on) | Resistência Estática Fonte-Dreno Ligada | Vgs = 10 V, Id= 1.5A | — | 5 | 8 | Q |
| gFS | Transcondutância Direta | Vds = 30 V, Id= 1.5 A ( Nota | -- | 4.5 | -- | S |
| 4) | ||||||
| Características Dinâmicas | ||||||
| Ciss | Capacitância de Entrada | Vds = 25 V, Vgs = 0 V, f = | — | 1938 | — | pF |
| Coss | Capacitância de saída | 1.0 MHz | — | 104 | — | pF |
| Crss | Capacitância de transferência reversa | — | 2.4 | — | pF | |
| Rg | Resistência de porta | F= 1.0 MHz | 3.5 | Q | ||
| Características de comutação | ||||||
| td(on) | Tempo de atraso de ligar | 34 | ns | |||
| tr | Tempo de Subida de Ativação | Vds = 750 V, Id=3.0A / Rg = | 17 | ns | ||
| td(off) | Tempo de Atraso de Desligamento | 100 , Vgs = 10 V (Nota 4,5) | 56 | ns | ||
| tf | Tempo de Desligamento | 27 | ns | |||
| Qe | Carga Total do Portão | Vds = 750 V, Id =3.0 A Vgs = | 9.3 | nC | ||
| Qgs | Carga Porta-Fonte | 10 V (Nota 4,5) | 15 | nC | ||
| Qgd | Carga Porta-Dreno | 5.3 | nC | |||
| Características e Classificações Máximas do Diodo Fonte-Dreno | ||||||
| Is | Corrente Contínua Máxima do Diodo Fonte-Dreno | — | — | 3 | A | |
| Ism | Corrente Máxima Direta do Diodo Fonte-Dreno Pulsado | — | — | 12 | A | |
| Vsd | Tensão Direta do Diodo Fonte-Dreno | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | — | — | 1.5 | V |
| trr | Tempo de Recuperação Reversa | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | — | 302 | — | ns |
| Qrr | Carga de Recuperação Reversa | dl F /dt = 100 A/us ( Note | -- | 10 | -- | uC |
| 4) | ||||||
Notas:
1. Classificação Repetitiva: largura de pulso limitada pela temperatura máxima da junção
2. L= lO.OmH , Ias = 6.7A, Rg = 25Q, StartingTj = 25°C
3. Isd < 3.0A z di/dt < lOOA/us, Vdd < BVdss, Starting Tj = 25°C
4. Teste Pulsado: largura de pulso <3OOus z Duty cycle < 2%
5. Essencialmente independente da temperatura de operação
Para mais informações sobre YZPST-FM3N150C por favor, faça o download do arquivo PDF acima chamado " YZPST-FM3N150C"
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