YZPST-QM3N150C MOSFET de canal N de comutação rápida de 1500V

YZPST-QM3N150C MOSFET de canal N de comutação rápida de 1500V

1500V N-Channel MOSFET

YZPST-QM3N150C

Descrição Geral

Este MOSFET de potência é produzido usando tecnologia planar avançada autoalinhada. Esta tecnologia avançada foi especialmente projetada para minimizar a resistência em estado ligado, fornecer desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia no modo de avalanche e comutação.

Esses dispositivos podem ser usados em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.

Características

3A, 1500V, RD5(on)typ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A

Carga de porta baixa (37nC típico)

Capacitância de transferência reversa baixa (2.8pf típico)

Comutação rápida

Testado 100% em avalanche

descrição1
Fecho de correr 1/5 zip pulôver atlético para homens. Tecido elástico, leve, de secagem rápida para desempenho superior. AJUSTE REGULAR - tamanhos padrão dos EUA. Um ajuste atlético que fica próximo ao corpo para uma ampla gama de movimento, projetado para desempenho ideal e conforto durante todo o dia. CARACTERÍSTICAS - Fecho de correr de quarto; Orifícios para polegares nas mangas compridas para mantê-las no lugar durante o treino
Descrição do produto

1500V N-Channel MOSFET

YZPST-QM3N150C

Descrição Geral

Este Power MOSFET é produzido usando tecnologia avançada

tecnologia planar autoalinhada. Esta tecnologia avançada

foi especialmente desenvolvida para minimizar

a resistência em estado ativo, fornecer comutação superior

desempenho e suportar pulsos de alta energia no

modo de avalanche e comutação.

Esses dispositivos podem ser usados em várias comutações de energia

circuito para miniaturização do sistema e maior eficiência.

Características

3A, 1500V, RD5(on)typ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A

Baixa carga de porta (típica 37nC)

Baixa capacitância de transferência reversa (típica 2.8pf)

Comutação rápida

Testado 100% em avalanche

Classificações Máximas Absolutas Tc=25 C a menos que indicado de outra forma

Símbolo Parâmetro YZPST-QM3N150C Unidades
Voss Tensão Dreno-Fonte 1500 V
lo Corrente de Dreno Contínuo (Tc=25℃) 3 A
Contínuo (Tc=100℃) 1.8 A
loM Corrente de Dreno - Pulsada (Nota 1) 12 A
VGss Tensão Porta-Fonte ±30 V
EAS Energia de Avalanche Pulsada Única (Nota 2) 225 mJ
dv/dt Pico de recuperação do diodo dv/dt (Nota 3) 5 V/ns
Po Dissipação de potência (Tc=25℃) 32 W
T, Tsts Faixa de Temperatura de Operação e Armazenamento -55 a +150
Tt Temperatura máxima do terminal para fins de soldagem
1/8" do invólucro por 5 segundos
300

Informações do Pacote TO-3PH

Para obter mais informações sobre YZPST-QM3N150C-G320 por favor, faça o download do arquivo PDF acima chamado "YZPST-QM3N150C-G320"

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